[发明专利]反熔丝存储单元及其形成方法在审
| 申请号： | 201910388649.8 | 申请日： | 2019-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN111916423A | 公开（公告）日： | 2020-11-10 |
| 发明（设计）人： | 李雄 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L27/112;H01L21/768;H01L21/8246 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;高德志 |
| 地址： | 230001 安徽省合肥市蜀山*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种反熔丝存储单元及其形成方法，所述反熔丝存储单元包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底中的有源区，所述有源区包括互连区和条状区，所述条状区位于互连区一侧并与互连区连接；覆盖所述有源区全部表面的栅介质层；位于所述栅介质层上的上电极层，所述上电极层完全覆盖所述有源区表面上的栅介质层；贯穿所述上电极层和栅介质层且与所述互连区连接的第一接触插塞；与所述上电极层连接的第二接触插塞。本发明的反熔丝存储单元的编程电压降低。 | ||
| 搜索关键词： | 反熔丝 存储 单元 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司，未经长鑫存储技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910388649.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：毛细结构、其制作方法和散热件
- 下一篇：一种电动液泵
