[发明专利]检测热影响区温度的系统和方法及存储介质有效
| 申请号: | 201910386431.9 | 申请日: | 2019-05-09 |
| 公开(公告)号: | CN111256859B | 公开(公告)日: | 2021-09-07 |
| 发明(设计)人: | 王罡;任珂;贾迈勒.阿里;魏绍鹏;融亦鸣;王立平 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
| 主分类号: | G01K7/06 | 分类号: | G01K7/06 |
| 代理公司: | 北京景闻知识产权代理有限公司 11742 | 代理人: | 卢春燕 |
| 地址: | 10008*** | 国省代码: | 北京;11 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本申请提出了一种检测热影响区温度的系统和方法及存储介质,其中,在预估的基体的热影响区的不同位置设置有不同深度的多个测温点,通过激光器对基体进行激光熔覆,所述系统包括:与多个测温点一一对应设置的多个温度传感器,用于检测对应测温点的温度;数据装置,用于获取温度检测数据,记录熔覆时间,根据温度检测数据和熔覆时间获得熔覆方向上各个测温点的温度时间曲线,以及根据熔覆速度将不同时刻的温度时间曲线转换为同一时刻热影响区的温度空间分布,根据温度空间分布获得热影响区的温度数据。本申请的检测热影响区温度的方法和系统,可以直接测量获得准确可靠的温度参数,为研究材料的组织梯度、力学性能演化提供数据基础。 | ||
| 搜索关键词: | 检测 影响 温度 系统 方法 存储 介质 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学,未经清华大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910386431.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体元件及其制造方法
- 下一篇:一种配网低压台区组合型电能质量综合治理装置





