[发明专利]用于制造半导体装置封装的方法、封装和并入有此类封装的系统有效
申请号: | 201910384326.1 | 申请日: | 2019-05-09 |
公开(公告)号: | CN110473841B | 公开(公告)日: | 2021-01-26 |
发明(设计)人: | 仲野英一 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/498;H01L21/56 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本申请案涉及用于制造半导体装置封装的方法、封装和并入有此类封装的系统。形成半导体装置封装的方法包括堆叠多个裸片,所述裸片堆叠呈现细接合线并且具有外环境涂层,所述接合线和环境涂层包括原位形成的化合物。还公开因此形成的半导体装置封装和并入有此类封装的电子系统。 | ||
搜索关键词: | 用于 制造 半导体 装置 封装 方法 并入 系统 | ||
【主权项】:
1.一种用于制造半导体装置封装的方法,所述方法包括:/n将晶片、包括其横向间隔开的半导体裸片位置在内粘附到载体衬底,其中所述晶片的有源表面面向所述载体衬底;/n在所述晶片的背侧上方形成电介质材料;/n将第一层级的经单分半导体裸片以相互横向间隔开的关系放置在相应半导体裸片位置上方;/n将从所述晶片的所述背侧穿过所述电介质材料突出的导电柱连接到所述经单分半导体裸片的经对齐端垫;和/n在所述第一层级的所述经单分半导体裸片的背侧上方并在所述背侧之间的空间中形成电介质材料。/n
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