[发明专利]用于制造半导体装置封装的方法、封装和并入有此类封装的系统

权利要求书

1.一种用于制造半导体装置封装的方法，所述方法包括：

将晶片、包括其横向间隔开的半导体裸片位置在内粘附到载体衬底，其中所述晶片的有源表面面向所述载体衬底；

在所述晶片的背侧上方形成电介质材料；

将第一层级的经单分半导体裸片以相互横向间隔开的关系放置在相应半导体裸片位置上方；

将从所述晶片的所述背侧穿过所述电介质材料突出的导电柱连接到所述经单分半导体裸片的经对齐端垫；和

在所述第一层级的所述经单分半导体裸片的背侧上方并在所述背侧之间的空间中形成电介质材料。

2.根据权利要求1所述的方法，其另外包括在将第一层级的经单分半导体裸片以相互横向间隔开的关系放置在相应半导体裸片位置上方之前，形成穿过所述电介质材料并进入所述晶片的所述背侧到达所述半导体裸片位置的有源电路的通孔，用电介质材料为所述通孔加衬并且用导电材料填充所述通孔以形成所述导电柱。

3.根据权利要求1所述的方法，其另外包括在将所述晶片粘附到所述载体衬底之前：

在所述晶片中形成延伸到所述半导体裸片位置的有源电路的通孔；

用电介质材料为所述通孔加衬；

用导电材料填充所述通孔；

从所述晶片的所述背侧薄化所述晶片以暴露所述导电材料作为所述导电柱；和

在所述晶片粘附到所述载体衬底之后，在所述晶片的所述背侧上方形成所述电介质材料并且保留所述导电柱的暴露末端。

4.根据权利要求1所述的方法，其另外包括在将第一层级的经单分半导体裸片以相互横向间隔开的关系放置在相应半导体裸片位置上方之后，形成穿过所述第一层级的所述经单分半导体裸片的所述背侧上方的所述电介质材料并进入其所述背侧到达有源电路的通孔，用电介质材料为所述半导体裸片中的所述通孔加衬并且用导电材料填充所述通孔以形成所述导电柱。

5.根据权利要求1所述的方法，其另外包括在将所述第一层级的经单分半导体裸片以横向间隔开的关系放置在相应半导体裸片位置上方之前：

在至少一个晶片上，在用于所述经单分半导体裸片延伸到其有源电路的位置中形成通孔；

用电介质材料为所述通孔加衬；

用导电材料填充所述通孔；和

从所述晶片的所述背侧薄化所述晶片以暴露所述导电材料作为导电柱。

6.根据权利要求1所述的方法，其另外包括：

将至少另一层级的经单分半导体裸片以相互横向间隔开的关系放置在所述第一层级的相应经单分半导体裸片上方以形成裸片堆叠；和

将从所述第一层级的经单分半导体裸片的所述背侧穿过所述电介质材料突出的导电柱连接到所述至少另一层级的经单分半导体裸片的经对齐端垫。

7.根据权利要求6所述的方法，其另外包括在所述至少另一层级的经单分半导体裸片的背侧上方和所述背侧之间的空间中形成电介质材料。

8.根据权利要求7所述的方法，其另外包括进行在所述裸片堆叠之间进入相邻堆叠的经单分半导体裸片的划线区域并进入但不穿过包括半导体裸片位置的所述晶片的材料的第一宽度的切割。

9.根据权利要求8所述的方法，其另外包括在每一堆叠中的最上部经单分半导体裸片的背侧上的电介质材料上方、在所述经单分半导体裸片的侧面上方以及在包括通过进行所述切割暴露的所述半导体裸片位置的所述材料的侧面上方形成环境保护涂层。

10.根据权利要求9所述的方法，其另外包括进行比所述第一切割更窄并且全部在所述第一切割内进入并穿过包括所述半导体裸片位置的所述晶片的剩余材料并进入将包括所述半导体裸片位置的所述晶片粘附到所述载体衬底的粘附材料的第二切割。

11.根据权利要求9所述的方法，其中形成环境保护涂层包括形成氮化硅或氮氧化硅涂层。