[发明专利]沟槽隔离结构的形成方法、化学气相沉积工艺在审
| 申请号： | 201910383100.X | 申请日： | 2019-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN110137132A | 公开（公告）日： | 2019-08-16 |
| 发明（设计）人： | 李众;鲁旭斋;张锋;林宗贤 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海领洋专利代理事务所(普通合伙) 31292 | 代理人： | 吴靖靓 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明技术方案公开了一种沟槽隔离结构的形成方法、化学气相沉积工艺。沟槽隔离结构的形成方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底上形成有研磨停止层；依次刻蚀研磨停止层和半导体衬底，在研磨停止层和半导体衬底内形成沟槽；在半导体衬底内的沟槽侧壁及底部形成氧化硅层；采用紫外光以及含羟基的气态或液态物质对氧化硅层进行表面处理，或者，采用紫外光以及反应物组合对氧化硅层进行表面处理，所述反应物组合适于反应生成含羟基的物质；采用TEOS‑Ozone热化学气相沉积工艺向沟槽内填充氧化硅，所述氧化硅填满所述沟槽且覆盖所述研磨停止层。本发明技术方案能够优化TEOS‑Ozone氧化硅薄膜的沉积速率、均匀性、致密性。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 研磨停止层 半导体 沟槽隔离结构 氧化硅层 化学气相沉积 反应物组合 紫外光 羟基 热化学气相沉积 填充氧化硅 氧化硅薄膜 沟槽侧壁 液态物质 均匀性 氧化硅 致密性 沉积 刻蚀 填满 覆盖 优化 | ||
【主权项】：
1.一种沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有研磨停止层；依次刻蚀所述研磨停止层和半导体衬底，在所述研磨停止层和半导体衬底内形成沟槽；在所述半导体衬底内的沟槽侧壁及底部形成氧化硅层；采用紫外光以及含羟基的气态或液态物质对所述氧化硅层进行表面处理，或者，采用紫外光以及反应物组合对所述氧化硅层进行表面处理，所述反应物组合适于反应生成含羟基的物质；采用TEOS‑Ozone热化学气相沉积工艺向所述沟槽内填充氧化硅，所述氧化硅填满所述沟槽且覆盖所述研磨停止层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
