[发明专利]一种氮化镓半导体光电化学刻蚀液及加工方法有效
| 申请号： | 201910380297.1 | 申请日： | 2019-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN110172349B | 公开（公告）日： | 2020-11-20 |
| 发明（设计）人： | 时康;胡慧勤;郭赛 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | C09K13/04 | 分类号： | C09K13/04;H01L21/306 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 张松亭;游学明 |
| 地址： | 361000 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种氮化镓半导体光电化学刻蚀液及加工方法，采用纯水由如下原料按摩尔浓度配成：5‑40mM过一硫酸氢钾复合盐(K |
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| 搜索关键词： | 一种 氮化 半导体 光电 化学 刻蚀 加工 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓半导体光电化学刻蚀液，按摩尔浓度包括：5‑40mM过一硫酸氢钾复合盐(K2SO4·KHSO4·2KHSO5)、0.05‑5mM不可被空穴氧化的pH缓冲剂，溶剂为水，刻蚀液的pH值为酸性。
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