[发明专利]一种氮化镓半导体光电化学刻蚀液及加工方法有效
| 申请号： | 201910380297.1 | 申请日： | 2019-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN110172349B | 公开（公告）日： | 2020-11-20 |
| 发明（设计）人： | 时康;胡慧勤;郭赛 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | C09K13/04 | 分类号： | C09K13/04;H01L21/306 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 张松亭;游学明 |
| 地址： | 361000 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 半导体 光电 化学 刻蚀 加工 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种氮化镓半导体光电化学刻蚀液在氮化镓半导体光电化学刻蚀中的用途，其中，所述的氮化镓半导体光电化学刻蚀液按摩尔浓度包括：5-40 mM过一硫酸氢钾复合盐K2SO4•KHSO4•2KHSO5、0.05-5 mM不可被空穴氧化的pH缓冲剂，溶剂为水，刻蚀液的pH值为酸性。
2.根据权利要求1所述的用途，其特征在于，所述的不可被空穴氧化的pH缓冲剂为无机磷酸和磷酸盐组成的缓冲剂。
3.根据权利要求1所述的用途，其特征在于，刻蚀液pH范围在1-6.8。
4.根据权利要求1所述的用途，其特征在于，刻蚀液pH范围在2-6.5。
5.氮化镓材料的加工方法，包括如下步骤：
（1）按所设计器件的平面结构，在氮化镓晶片表面沉积一层平面结构与之互补的金属纳米层；（2）将图案化的氮化镓晶片浸入权利要求1至4任一项所述的氮化镓半导体光电化学刻蚀液；
（3）采用紫外光照射图案化的氮化镓晶片，图案化金属层既作为光阻层，又作为光电化学的阴极，完成刻蚀加工。
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