[发明专利]竖直存储器件

摘要

一种竖直存储器件包括：栅线结构，其包括其中形成有竖直沟道结构的单元区；以及第一连接区和第二连接区，它们在第一方向上分别布置在单元区的第一端和第二端。第一连接区和第二连接区中的每一个包括第一栅线的第一突起和第二栅线的第二突起，所述第一突起和所述第二突起与衬底的顶表面平行并且在垂直于第一方向的第二方向上布置为台阶。第二连接区的第一突起和第一连接区的第一突起关于单元区的中心线对角地布置，所述中心线平行于第一方向。

主权项

1.一种竖直存储器件，包括：/n栅线结构，其包括第一栅线和第二栅线，所述第一栅线和所述第二栅线顺序层叠在衬底上并在平行于所述衬底的顶表面的第一方向上延伸；以及/n竖直沟道结构，其构造为在垂直于所述衬底的顶表面的方向上穿透所述栅线结构，/n其中，所述栅线结构包括其中形成有所述竖直沟道结构的单元区以及沿所述第一方向分别布置在所述单元区的第一端和第二端的第一连接区和第二连接区，/n所述第一连接区和第二连接区中的每一个包括所述第一栅线的第一突起和所述第二栅线的第二突起，所述第一栅线的第一突起和所述第二栅线的第二突起平行于所述衬底的顶表面并且在垂直于所述第一方向的第二方向上布置为台阶，并且/n所述第二连接区的第一突起和所述第一连接区的第一突起关于所述第一方向对角地布置。/n