[发明专利]竖直存储器件

说明书

一种竖直存储器件包括：栅线结构，其包括其中形成有竖直沟道结构的单元区；以及第一连接区和第二连接区，它们在第一方向上分别布置在单元区的第一端和第二端。第一连接区和第二连接区中的每一个包括第一栅线的第一突起和第二栅线的第二突起，所述第一突起和所述第二突起与衬底的顶表面平行并且在垂直于第一方向的第二方向上布置为台阶。第二连接区的第一突起和第一连接区的第一突起关于单元区的中心线对角地布置，所述中心线平行于第一方向。

相关申请的交叉引用

本申请要求在2018年5月9日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0053203的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本文中的本发明构思涉及竖直存储器件，更具体地，涉及包括在竖直方向上层叠的栅线的竖直存储器件。

背景技术

对包括存储器件的大容量、高集成度电路器件的需求持续增加。最近关注于竖直存储器件，其包括竖直布置在三维上的存储器单元，作为提供更高集成度的方式。由于竖直存储器件具有其中每个存储器单元在竖直方向上层叠的结构，因此通常需要焊盘结构来将电信号施加到在竖直方向上层叠的每个存储器单元。

发明内容

本发明构思的各实施例提供包括在竖直方向上层叠的栅线的竖直存储器件。

本发明构思的各实施例提供一种竖直存储器件，该竖直存储器件包括：栅线结构，其包括第一栅线和第二栅线，第一栅线和第二栅线顺序层叠在衬底上并在平行于所述衬底的顶表面的第一方向上延伸；以及竖直沟道结构，其构造为在垂直于所述衬底的顶表面的方向上穿透所述栅线结构。栅线结构包括其中形成有所述竖直沟道结构的单元区以及沿所述第一方向分别布置在所述单元区的第一端和第二端的第一连接区和第二连接区。第一连接区和第二连接区中的每一个包括第一栅线的第一突起和第二栅线的第二突起，所述第一栅线的第一突起和所述第二栅线的第二突起平行于所述衬底的顶表面并且在垂直于第一方向的第二方向上布置为台阶。第二连接区的第一突起和第一连接区的第一突起关于所述第一方向对角地布置。

本发明构思的各实施例还提供一种竖直存储器件，该竖直存储器件包括：栅线结构，其包括多条栅线，所述多条栅线顺序层叠在衬底上并在第一方向上平行于所述衬底的顶表面延伸；以及竖直沟道结构，其构造为在垂直于所述衬底的顶表面的方向上穿透所述栅线结构。栅线结构包括：其中形成有竖直沟道结构的单元区，以及沿所述第一方向分别布置在所述单元区的第一端和第二端的第一连接区和第二连接区。第一连接区和第二连接区中的每一个包括多条栅线的多个突起，所述多个突起在所述第一方向和垂直于所述第一方向的第二方向上布置为台阶。第一连接区的多个突起中的每一个沿所述第一方向平行于第二连接区的多个突起之中位于多条栅线的不同层上的突起布置。

本发明构思的各实施例又提供一种竖直存储器件，该竖直存储器件包括：栅线结构，其包括多条栅线，所述多条栅线顺序层叠在衬底上并在平行于所述衬底的顶表面的第一方向上延伸；竖直沟道结构，其构造为在垂直于所述衬底的顶表面的方向上穿透所述栅线结构；以及多个传输晶体管，其电连接到所述多条栅线。栅线结构包括其中形成有竖直沟道结构的单元区以及分别在所述第一方向上布置在所述单元区的第一端和第二端的第一连接区和第二连接区。第一连接区和第二连接区中的每一个包括多条栅线的多个突起，所述多个突起在所述第一方向上和垂直于所述第一方向的第二方向上布置为台阶。多个突起之中的位于多条栅线的同一层上的突起被布置成在所述第二方向上彼此未对准。

附图说明

通过以下结合附图的详细描述，将更清楚地理解本发明构思的实施例，其中：

图1示出了根据本发明构思的实施例的竖直存储器件的框图；

图2示出了图1中的行解码器的示例实施方式的框图；

图3示出了根据本发明构思的实施例的竖直存储器件的存储器单元区中包括的单元块的等效电路图；