[发明专利]一种基于Ge2Sb2Te5相变材料的可重构显示装置及方法在审
申请号: | 201910376386.9 | 申请日: | 2019-05-07 |
公开(公告)号: | CN110148609A | 公开(公告)日: | 2019-08-20 |
发明(设计)人: | 瑞光浩;丁传传;顾兵;崔一平;詹其文;甘巧强 | 申请(专利权)人: | 东南大学 |
主分类号: | H01L27/24 | 分类号: | H01L27/24;H01L45/00;G02F1/00;G02F1/01 |
代理公司: | 南京众联专利代理有限公司 32206 | 代理人: | 张伟 |
地址: | 210096 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于Ge2Sb2Te5(GST)相变材料的可重构显示装置,该装置由周期性像素单元组成,每个像素单元由纳米铝盘阵列、二氧化硅薄膜、GST层、铝衬底和外部控制电极系统构成。该装置在GST薄膜上制备周期性的纳米铝盘阵列,通过调整纳米铝盘阵列的直径和周期可改变器件的整体反射谱,从而使得每个像素单元显示出不同的颜色。此外,利用外部控制电极系统可对每个像素单元的GST薄膜加温并使其处于晶态和非晶态之间的特定状态,实现对显示颜色的动态可重构调控。与现有的利用相变材料制作的显示装置相比,本发明具有色域广、分辨率高、能耗低、响应速度快和效率高等优势。 | ||
搜索关键词: | 像素单元 显示装置 相变材料 纳米铝 盘阵列 电极系统 外部控制 可重构 薄膜 二氧化硅薄膜 动态可重构 显示颜色 反射谱 非晶态 可改变 分辨率 加温 晶态 铝衬 色域 制备 能耗 响应 调控 制作 | ||
【主权项】:
1.一种基于Ge2Sb2Te5相变材料的可重构显示装置,其特征在于:由周期性像素单元(1)组成,每个像素单元包括:纳米铝盘阵列(2)、上层二氧化硅薄膜(3)、GST层(4)、下层二氧化硅薄膜(5)、铝衬底(6)、外部控制电极系统(7);所述的纳米铝盘阵列(2)、上层二氧化硅薄膜(3)、GST层(4)、下层二氧化硅薄膜(5)、铝衬底(6)从上至下依次分布,所述外部控制电极系统(7)可对上层二氧化硅薄膜(3)和下层二氧化硅薄膜(5)的电极输入电信号,用于GST层(4)的加温,从而实现GST材料由非晶态向晶态的转化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的