[发明专利]图像传感器及其形成方法、摄像模组在审
| 申请号： | 201910375043.0 | 申请日： | 2019-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN110071133A | 公开（公告）日： | 2019-07-30 |
| 发明（设计）人： | 谢志峰 | 申请（专利权）人： | 芯盟科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L27/20 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 薛异荣;吴敏 |
| 地址： | 314400 浙江省嘉兴市海宁市海*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种图像传感器及其形成方法、摄像模组，图像传感器包括：器件衬底，所述器件衬底包括像素区和包围所述像素区的边缘逻辑区；载体衬底，所述载体衬底与所述器件衬底相对设置；位于所述器件衬底的边缘逻辑区和所述载体衬底之间的第一压电结构，第一压电结构环绕所述像素区，第一压电结构用于在获取电压信号后在第一方向上的尺寸增大，第一方向平行于像素区中心表面的法线方向。所述图像传感器的性能得到提高。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 图像传感器 像素区 压电结构 摄像模组 逻辑区 尺寸增大 电压信号 法线方向 方向平行 相对设置 中心表面 环绕 包围 | ||
【主权项】：
1.一种图像传感器，其特征在于，包括：器件衬底，所述器件衬底包括像素区和包围所述像素区的边缘逻辑区；载体衬底，所述载体衬底与所述器件衬底相对设置；位于所述器件衬底的边缘逻辑区和所述载体衬底之间的第一压电结构，第一压电结构环绕所述像素区，第一压电结构用于在获取电压信号后在第一方向上的尺寸增大，第一方向平行于像素区中心表面的法线方向。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
