[发明专利]图像传感器及其形成方法、摄像模组

权利要求书

1.一种图像传感器，其特征在于，包括：

器件衬底，所述器件衬底包括像素区和包围所述像素区的边缘逻辑区；

载体衬底，所述载体衬底与所述器件衬底相对设置；

位于所述器件衬底的边缘逻辑区和所述载体衬底之间的第一压电结构，第一压电结构环绕所述像素区，第一压电结构用于在获取电压信号后在第一方向上的尺寸增大，第一方向平行于像素区中心表面的法线方向。

2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述第一压电结构的材料包括锆钛酸铅、镓酸锂、锗酸锂、锗酸钛或者石英。

3.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，环绕所述像素区的第一压电结构一体成型，所述第一压电结构呈环状结构；或者，第一压电结构的数量为多个，多个第一压电结构相互分立，多个第一压电结构环绕所述像素区。

4.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，在自边缘逻辑区至像素区中心的方向上，所述第一压电结构的尺寸范围为100纳米～2微米；所述第一压电结构的厚度范围为100纳米～1000纳米。

5.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，还包括：位于所述第一压电结构和所述器件衬底的边缘逻辑区之间的第一缓冲结构。

6.根据权利要求5所述的图像传感器，其特征在于，所述第一缓冲结构为单层结构，第一缓冲结构的材料包括氧化硅或者氮化硅；

或者，所述第一缓冲结构为叠层结构，所述第一缓冲结构包括第一底缓冲层和位于第一底缓冲层表面的第一顶缓冲层，第一顶缓冲层位于第一压电结构和第一底缓冲层之间，第一底缓冲层的材料包括氧化硅，第一顶缓冲层的材料包括钛。

7.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，还包括：位于所述第一压电结构和所述载体衬底之间的第一电极层；贯穿所述器件衬底的边缘逻辑区且与第一电极层连接的第一插塞。

8.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，还包括：位于所述器件衬底和所述载体衬底之间的介质层，所述介质层包围第一压电结构的侧壁。

9.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述器件衬底包括相对的器件正面和器件背面；所述载体衬底朝向所述器件正面，第一压电结构位于器件正面；

所述图像传感器还包括：位于所述像素区的器件背面的滤光层；位于所述滤光层表面的透镜层。

10.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述像素区包括中心区；所述图像传感器还包括：位于所述中心区和所述载体衬底之间的第二压电结构，所述第二压电结构用于在获取电压信号后在第一方向上的尺寸减小。

11.根据权利要求10所述的图像传感器，其特征在于，所述第二压电结构的材料包括锆钛酸铅、镓酸锂、锗酸锂、锗酸钛或者石英。

12.根据权利要求10所述的图像传感器，其特征在于，在自边缘逻辑区至像素区中心的方向上，所述第二压电结构的尺寸范围为100纳米～2微米；所述第二压电结构的厚度范围为100纳米～1000纳米。

13.根据权利要求10所述的图像传感器，其特征在于，所述第二压电结构的形状为柱状，所述第二压电结构的中心轴平行于第一方向。

14.根据权利要求10所述的图像传感器，其特征在于，还包括：位于所述第二压电结构和所述中心区之间的第二缓冲结构。

15.根据权利要求10所述的图像传感器，其特征在于，还包括：位于所述第二压电结构和所述载体衬底之间的第二电极层；贯穿所述器件衬底的像素区且与第二电极层连接的第二插塞。