[发明专利]静电防护结构、图像传感器结构及制备方法

摘要

本发明提供一种静电防护结构、图像传感器结构及制备方法，静电防护结构包括：半导体衬底、第一阱区、第二阱区、离子掺杂防护结构、第一器件结构、第二器件结构、器件隔离结构。本发明通过在器件隔离结构下方形成离子掺杂防护结构，从而可以降低第一阱区和第二阱区之间的击穿电压，进一步有利于静电防护结构的触发，改善静电防护效果，基于器件隔离结构，可以有效减少器件之间的漏电流，并进一步有利于离子掺杂防护结构的形成，防止制备形成过程中对其他结构的影响，本发明还基于图像传感器中像素区的第一隔离结构的制备工艺制备静电防护结构中的器件隔离结构，简化工艺，节约成本，有利于器件隔离结构的制备工艺，提高防护效果。

主权项

1.一种静电防护结构，其特征在于，所述静电防护结构包括：半导体衬底；第一阱区及第二阱区，均形成于所述半导体衬底中，所述第一阱区与所述第二阱区相邻设置并具有不同的离子掺杂类型；离子掺杂防护结构，形成于所述第一阱区与所述第二阱区的界面处，并延伸至所述第一阱区和所述第二阱区中，所述离子掺杂防护结构的离子掺杂浓度大于所述第一阱区的离子掺杂浓度，所述离子掺杂防护结构的离子掺杂浓度大于所述第二阱区的离子掺杂浓度；第一器件结构，形成于所述第一阱区中，所述第一器件结构至少包括横向设置的第一类型离子掺杂的第一掺杂区及第二类型离子掺杂的第二掺杂区；第二器件结构，形成于所述第二阱区中，所述第二器件结构至少包括横向设置的所述第一类型离子掺杂的第三掺杂区及所述第二类型离子掺杂的第四掺杂区；以及器件隔离结构，形成于所述第一器件结构与所述第二器件结构之间，并对应位于所述离子掺杂防护结构的上方。