[发明专利]静电防护结构、图像传感器结构及制备方法

权利要求书

1.一种静电防护结构，其特征在于，所述静电防护结构包括：

半导体衬底；

第一阱区及第二阱区，均形成于所述半导体衬底中，所述第一阱区与所述第二阱区相邻设置并具有不同的离子掺杂类型；

离子掺杂防护结构，形成于所述第一阱区与所述第二阱区的界面处，并延伸至所述第一阱区和所述第二阱区中，所述离子掺杂防护结构的离子掺杂浓度大于所述第一阱区的离子掺杂浓度，所述离子掺杂防护结构的离子掺杂浓度大于所述第二阱区的离子掺杂浓度；

第一器件结构，形成于所述第一阱区中，所述第一器件结构至少包括横向设置的第一类型离子掺杂的第一掺杂区及第二类型离子掺杂的第二掺杂区；

第二器件结构，形成于所述第二阱区中，所述第二器件结构至少包括横向设置的所述第一类型离子掺杂的第三掺杂区及所述第二类型离子掺杂的第四掺杂区；以及

器件隔离结构，形成于所述第一器件结构与所述第二器件结构之间，并对应位于所述离子掺杂防护结构的上方。

2.根据权利要求1所述的静电防护结构，其特征在于，所述第一阱区包括N阱区，所述第二阱区包括P阱区；所述第一类型离子掺杂包括P型掺杂，所述第二类型离子掺杂包括N型掺杂，且所述第一器件结构中所述第一掺杂区与所述第二掺杂区依次设置，所述第二器件结构中所述第三掺杂区与所述第四掺杂区对应依次设置。

3.根据权利要求1所述的静电防护结构，其特征在于，所述离子掺杂防护结构的离子掺杂类型包括N型离子掺杂及P型离子掺杂中的任意一种。

4.根据权利要求1所述的静电防护结构，其特征在于，所述离子掺杂防护结构延伸至所述第一阱区中的部分的离子掺杂类型与所述第一阱区的离子掺杂类型一致，所述离子掺杂防护结构延伸至所述第二阱区中的部分的离子掺杂类型与所述第二阱区的离子掺杂类型一致。

5.根据权利要求4所述的静电防护结构，其特征在于，所述离子掺杂防护结构对称设置在所述第一阱区与所述第二阱区的界面的两侧。

6.根据权利要求1所述的静电防护结构，其特征在于，所述器件隔离结构与所述离子掺杂防护结构相接触，所述器件隔离结构的深度均大于所述第一掺杂区、所述第二掺杂区、所述第三掺杂区及所述第四掺杂区的深度，所述器件隔离结构的深度介于200埃-400埃之间。

7.根据权利要求1所述的静电防护结构，其特征在于，所述静电防护结构还包括第一引出端及第二引出端，其中，所述第一引出端同时与所述第一掺杂区及所述第二掺杂区电连接，所述第二引出端同时与所述第三掺杂区及所述第四掺杂区电连接。

8.根据权利要求1-7中任意一项所述的静电防护结构，其特征在于，所述第一掺杂区与所述第二掺杂区之间还形成有第一隔离区，所述第三掺杂区与所示第四掺杂区之间还形成有第二隔离区。

9.根据权利要求8所述的静电防护结构，其特征在于，所述第一隔离区下方设置有与所述第一隔离区相接触的第一掺杂防护区，所述第一掺杂防护区的离子掺杂类型与所述第一阱区的离子掺杂类型一致；所述第二隔离区下方设置有与所述第二隔离区相接触的第二掺杂防护区，所述第二掺杂防护区的离子掺杂类型与所述第二阱区的离子掺杂类型一致。

10.一种图像传感器结构，其特征在于，所述图像传感器结构包括如权利要求1-9中任意一项所述的静电防护结构，且所述图像传感器结构还包括像素区，所述像素区中设置有至少一个第一隔离结构，其中，所述第一隔离结构与所述器件隔离结构的大小及形状一致。

11.根据权利要求10所述的图像传感器结构，其特征在于，所述图像传感器结构还包括逻辑电路区，所述逻辑电路区中设置有至少一个第二隔离结构，其中，所述第二隔离结构的深度大于所述第一隔离结构的深度；所述第二隔离结构的深度介于2500埃-4000埃之间，所述第一隔离结构的深度介于200埃-400埃之间。