[发明专利]低温蚀刻方法和等离子体蚀刻设备在审
| 申请号： | 201910371204.9 | 申请日： | 2019-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN110610842A | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 金彣锡;李天揆;边益守;宋昌宇;郑盛夏;韩东锡 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 11021 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周泉 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种低温蚀刻方法包括：冷却其上设置有晶片的基座；通过从通过气体分配单元供应的气体产生等离子体来蚀刻晶片；以及通过所述气体分配单元将加热的惰性气体注入到腔室中。 | ||
| 搜索关键词： | 气体分配单元 等离子体 低温蚀刻 惰性气体 气体产生 蚀刻晶片 晶片 腔室 加热 冷却 | ||
【主权项】：
1.一种低温蚀刻方法，所述方法包括：/n冷却腔室中的基座，其中，晶片设置在所述基座上；/n通过从通过气体分配单元供应的气体产生等离子体来蚀刻所述晶片；以及/n通过所述气体分配单元将加热的惰性气体注入到所述腔室中。/n
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