[发明专利]低温蚀刻方法和等离子体蚀刻设备在审
| 申请号： | 201910371204.9 | 申请日： | 2019-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN110610842A | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 金彣锡;李天揆;边益守;宋昌宇;郑盛夏;韩东锡 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 11021 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周泉 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 气体分配单元 等离子体 低温蚀刻 惰性气体 气体产生 蚀刻晶片 晶片 腔室 加热 冷却 | ||
1.一种低温蚀刻方法，所述方法包括：
冷却腔室中的基座，其中，晶片设置在所述基座上；
通过从通过气体分配单元供应的气体产生等离子体来蚀刻所述晶片；以及
通过所述气体分配单元将加热的惰性气体注入到所述腔室中。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，对所述基座的冷却包括：将所述基座冷却至-100℃或更低的温度。
3.根据权利要求1所述的方法，还包括：在所述晶片的蚀刻与所述加热的惰性气体的注入之间，将所述晶片升高以与所述基座间隔开。
4.根据权利要求3所述的方法，还包括：在注入所述加热的惰性气体之前，当所述晶片已经升高时将所述等离子体保持在所述腔室中达预定时间。
5.根据权利要求4所述的方法，还包括：在将所述等离子体保持在所述腔室中与所述加热的惰性气体的注入之间，从所述腔室中排出所述等离子体。
6.根据权利要求3所述的方法，其中，当所述晶片已经升高时，执行所述加热的惰性气体的注入。
7.根据权利要求6所述的方法，还包括：在所述晶片的蚀刻之后，升高所述腔室中的压力，其中，所述加热的惰性气体的注入是在升高后的压力下执行的。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，执行所述加热的惰性气体的注入，直到所述晶片达到10℃至30℃的范围中的温度。
9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述加热的惰性气体的注入执行10秒至1分钟。
10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述加热的惰性气体的温度在50℃至100℃的范围中。
11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述加热的惰性气体选自He、Ne、Ar、Kr和Xe中的至少一种。
12.根据权利要求1所述的方法，其中，所述晶片的蚀刻包括：使用高频功率从含氟气体产生所述等离子体。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述含氟气体选自SF6、CF4及其组合中的一种。
14.一种低温蚀刻方法，所述方法包括：
将晶片设置在腔室中的基座上；
使用冷却器将所述基座冷却至-100℃或更低；
通过从气体分配单元供应的气体产生等离子体来蚀刻所述晶片；
将经蚀刻的晶片升高以与所述基座间隔开；以及
通过所述气体分配单元将加热的惰性气体注入到所述腔室中。
15.根据权利要求14所述的方法，还包括：在注入所述加热的惰性气体之前，当经蚀刻的晶片已经升高时,将所述等离子体保持在所述腔室中达1分钟至3分钟。
16.根据权利要求15所述的方法，还包括：在将所述等离子体保持在所述腔室中与所述加热的惰性气体的注入之间，从所述腔室中排出所述等离子体。
17.根据权利要求14所述的方法，其中，所述加热的惰性气体的温度在50℃至100℃的范围中，并且所述加热的惰性气体的注入执行10秒或更久。
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