[发明专利]发光二极管及其形成方法有效
| 申请号： | 201910359906.5 | 申请日： | 2019-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN110047978B | 公开（公告）日： | 2020-10-02 |
| 发明（设计）人： | 曾颀尧;李若雅;邢琨;纪秉夆;陈柏松 | 申请（专利权）人： | 芜湖德豪润达光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/02;H01L33/06;H01L33/12;H01L33/32 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 景怀宇;李双皓 |
| 地址： | 241000 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种发光二极管及其形成方法。一种发光二极管的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底具有相对设置的第一表面和第二表面；制备N型半导体层，覆盖所述第一表面；制备多量子阱结构层，覆盖所述N型半导体层；制备能带扭曲结构层，覆盖所述多量子阱结构层，所述能带扭曲结构层包括P型氮化铝铟镓层、U型氮化铝铟镓层和N型氮化铝铟镓层，所述U型氮化铝铟镓层覆盖所述P型氮化铝铟镓层，所述N型氮化铝铟镓层覆盖所述U型氮化铝铟镓层；以及制备P型半导体层，覆盖所述能带扭曲结构层。该发光二极管可以使空穴集中于能带扭曲结构层，从而提升空穴数量，进而提升电子空穴的复合几率，提升发光二极管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底(100)，所述衬底(100)具有相对设置的第一表面(102)和第二表面(104)；制备N型半导体层(200)，覆盖所述第一表面(102)；制备多量子阱结构层(300)，覆盖所述N型半导体层(200)；制备能带扭曲结构层(400)，覆盖所述多量子阱结构层(300)，所述能带扭曲结构层(400)包括P型氮化铝铟镓层(412)、U型氮化铝铟镓层(414)和N型氮化铝铟镓层(416)，所述U型氮化铝铟镓层(414)覆盖所述P型氮化铝铟镓层(412)，所述N型氮化铝铟镓层(416)覆盖所述U型氮化铝铟镓层(414)；以及制备P型半导体层(500)，覆盖所述能带扭曲结构层(400)。
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