[发明专利]发光二极管及其形成方法

说明书

本发明涉及一种发光二极管及其形成方法。一种发光二极管的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底具有相对设置的第一表面和第二表面；制备N型半导体层，覆盖所述第一表面；制备多量子阱结构层，覆盖所述N型半导体层；制备能带扭曲结构层，覆盖所述多量子阱结构层，所述能带扭曲结构层包括P型氮化铝铟镓层、U型氮化铝铟镓层和N型氮化铝铟镓层，所述U型氮化铝铟镓层覆盖所述P型氮化铝铟镓层，所述N型氮化铝铟镓层覆盖所述U型氮化铝铟镓层；以及制备P型半导体层，覆盖所述能带扭曲结构层。该发光二极管可以使空穴集中于能带扭曲结构层，从而提升空穴数量，进而提升电子空穴的复合几率，提升发光二极管的发光效率。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种发光二极管及其形成方法。

背景技术

发光二极管(LED，Light Emitting Diode)是一种能发光的固态半导体器件，被广泛应用于指示灯和显示屏等照明发光领域。

传统技术中，发光二极管的核心一般为PN结。在电场作用下，构成PN结的P型层中的空穴和构成PN结的N型层中的电子复合形成可见光。

申请人在实现传统技术的过程中发现：传统的发光二极管，其P型层一侧空穴注入效率较低，从而导致发光效率差。

发明内容

基于此，有必要针对传统技术中存在的发光二极管空穴注入效率低，从而导致发光效率差的问题，提供一种发光二极管及其形成方法。

一种发光二极管的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底具有相对设置的第一表面和第二表面；制备N型半导体层，覆盖所述第一表面；制备多量子阱结构层，覆盖所述N型半导体层；制备能带扭曲结构层，覆盖所述多量子阱结构层，所述能带扭曲结构层包括P型氮化铝铟镓层、U型氮化铝铟镓层和N型氮化铝铟镓层，所述U型氮化铝铟镓层覆盖所述P型氮化铝铟镓层，所述N型氮化铝铟镓层覆盖所述U型氮化铝铟镓层；以及制备P型半导体层，覆盖所述能带扭曲结构层。

上述发光二极管的形成方法所形成的发光二极管，其能带扭曲结构层包括层叠设置的P型氮化铝铟镓层、U型氮化铝铟镓层和N型氮化铝铟镓层，可以使空穴集中于能带扭曲结构层，从而提升空穴数量。空穴数量提升后，空穴穿过能带扭曲结构层进入多量子阱结构层与电子复合，即可提升电子空穴的复合几率，进而提升发光二极管的发光效率。

一种发光二极管，基于上述发光二极管的形成方法，包括：衬底；N型半导体层，覆盖所述衬底；多量子阱结构层，覆盖所述N型半导体层；能带扭曲结构层，覆盖所述多量子阱结构层，所述能带扭曲结构层包括层叠设置的P型氮化铝铟镓层、U型氮化铝铟镓层和N型氮化铝铟镓层，所述U型氮化铝铟镓层覆盖所述P型氮化铝铟镓层，所述N型氮化铝铟镓层覆盖所述U型氮化铝铟镓层；以及P型半导体层，覆盖所述能带扭曲结构。

附图说明

图1为本申请一个实施例中发光二极管形成方法的流程示意图。

图2为本申请一个实施例中发光二极管的层级结构示意图。

图3为本申请另一个实施例中发光二极管形成方法的流程示意图。

图4为本申请另一个实施例中发光二极管的层级结构示意图。

图5为本申请一个实施例中应力释放层的层级结构示意图。

图6为本申请一个实施例中多量子阱结构的层级结构示意图。

其中，各附图标号所代表的含义分别为：

10、发光二极管；

100、衬底；

102、第一表面；

104、第二表面；

200、N型半导体层；