[发明专利]一种单向可控硅短路保护电路及电子设备有效
申请号: | 201910358168.2 | 申请日: | 2019-04-30 |
公开(公告)号: | CN110661234B | 公开(公告)日: | 2022-07-05 |
发明(设计)人: | 胡源洲;郑昌德 | 申请(专利权)人: | 广东明丰电源电器实业有限公司 |
主分类号: | H05B45/30 | 分类号: | H05B45/30;H05B45/50;H05B45/34;H02H7/20 |
代理公司: | 广州容大知识产权代理事务所(普通合伙) 44326 | 代理人: | 刘新年 |
地址: | 528400 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开一种单向可控硅短路保护电路及电子设备,涉及保护电路技术领域,包括:第一电阻、第二电阻、电容和晶闸管,其中,第一电阻的一端同时连接第二电阻的一端及被保护的至少一个MOS管的源极,第一电阻的另一端同时连接电容的一端、晶闸管的阴极并接地;所述第二电阻的另一端同时连接电容的另一端和晶闸管的门极;所述晶闸管的阳极连接被保护的至少一个MOS管的栅极;通过外围电路,增加简单的晶闸管电路,此电路简单,与原电路搭配,解决恒压方案,驱动MOS做调光时,短路起到保护作用。 | ||
搜索关键词: | 一种 单向 可控硅 短路 保护 电路 电子设备 | ||
【主权项】:
1.一种单向可控硅短路保护电路,其特征在于,包括:第一电阻、第二电阻、电容和晶闸管,其中,第一电阻的一端同时连接第二电阻的一端及被保护的至少一个MOS管的源极,第一电阻的另一端同时连接电容的一端、晶闸管的阴极并接地;所述第二电阻的另一端同时连接电容的另一端和晶闸管的门极;所述晶闸管的阳极连接被保护的至少一个MOS管的栅极。/n
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