[发明专利]一种单向可控硅短路保护电路及电子设备有效

专利信息
申请号: 201910358168.2 申请日: 2019-04-30
公开(公告)号: CN110661234B 公开(公告)日: 2022-07-05
发明(设计)人: 胡源洲;郑昌德 申请(专利权)人: 广东明丰电源电器实业有限公司
主分类号: H05B45/30 分类号: H05B45/30;H05B45/50;H05B45/34;H02H7/20
代理公司: 广州容大知识产权代理事务所(普通合伙) 44326 代理人: 刘新年
地址: 528400 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 单向 可控硅 短路 保护 电路 电子设备
【说明书】:

发明公开一种单向可控硅短路保护电路及电子设备,涉及保护电路技术领域,包括:第一电阻、第二电阻、电容和晶闸管,其中,第一电阻的一端同时连接第二电阻的一端及被保护的至少一个MOS管的源极,第一电阻的另一端同时连接电容的一端、晶闸管的阴极并接地;所述第二电阻的另一端同时连接电容的另一端和晶闸管的门极;所述晶闸管的阳极连接被保护的至少一个MOS管的栅极;通过外围电路,增加简单的晶闸管电路,此电路简单,与原电路搭配,解决恒压方案,驱动MOS做调光时,短路起到保护作用。

技术领域

本发明涉及保护电路技术领域,尤其涉及一种单向可控硅短路保护电路及电子设备。

背景技术

LED具有响应速度快、低功耗、节能、寿命长等显著优点;LED驱动及保护技术随着LED应用技术的发展而快速发展;

如图1所示,现有产品恒压驱动两路MOS,调制占空比进行调光方案,在未增加短路保护方式时,未能实现短路保护功能;在电源输出端用模块控制MOS来实现调光调色功能,使得模块的信号打开输出,MOS管导通灯亮,这时如果将输出正负短接,MOS-DS管脚电流急剧上升,MOS管G基未关闭,则MOS管一直处于开通状态,MOS功率剧增,导致烧坏MOS;

因此,目前急需一种保护电路,实现对MOS管的保护。

发明内容

本发明针对背景技术的问题提供一种单向可控硅短路保护电路及电子设备,以解决或者至少部分地缓解现有技术中存在的上述问题。

为了实现上述目的,本发明提出一种单向可控硅短路保护电路,包括:第一电阻、第二电阻、电容和晶闸管,其中,第一电阻的一端同时连接第二电阻的一端及被保护的至少一个MOS管的源极,第一电阻的另一端同时连接电容的一端、晶闸管的阴极并接地;所述第二电阻的另一端同时连接电容的另一端和晶闸管的门极;所述晶闸管的阳极连接被保护的至少一个MOS管的栅极。

优选地,所述晶闸管的阳极与被保护的至少一个MOS管的栅极之间还设置有二极管。

优选地,所述二极管的阴极连接晶闸管的阳极,所述二极管的阳极连接被保护的至少一个MOS管的栅极。

优选地,所述第一电阻采用贴片电阻。

优选地,所述电容采用贴片电容。

优选地,所述晶闸管采用SCR单相晶闸管。

本发明还提出一种电子设备,包括如所述的单向可控硅短路保护电路。

本发明提出一种单向可控硅短路保护电路及电子设备,通过外围电路,增加简单的晶闸管电路,此电路简单,与原电路搭配,解决恒压方案,驱动MOS做调光时,短路起到保护作用。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。

图1为本发明一种实施例中现有技术电路原理图;

图2为本发明一种实施例中单向可控硅短路保护电路原理图;

图3为本发明一种实施例中电子设备结构图;

本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例,参照附图做进一步说明。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。

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