[发明专利]图像传感器及其操作方法在审
| 申请号: | 201910358073.0 | 申请日: | 2019-04-30 |
| 公开(公告)号: | CN110061021A | 公开(公告)日: | 2019-07-26 |
| 发明(设计)人: | 魏代龙 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/369 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 欧阳帆 |
| 地址: | 223300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本公开涉及图像传感器及其操作方法。该图像传感器包括衬底、设置在衬底中的多个像素单元和多个处理电路。每个像素单元包括:栅极结构,包括栅极和栅极电介质层;多个浮置扩散区;多个光电二极管,与浮置扩散区一一对应地设置在其下方,其中多个浮置扩散区具有第一掺杂类型并且多个光电二极管各自包括具有第一掺杂类型的第一区域;以及多个沟道形成区,每个沟道形成区设置在相应一个浮置扩散区与相应一个光电二极管的第一区域之间并具有第二掺杂类型。每个处理电路由多个像素单元中的至少两个像素单元共用,用于基于该至少两个像素单元的每个浮置扩散区中的电荷来生成电信号并将电信号输出。 | ||
| 搜索关键词: | 浮置扩散区 像素单元 光电二极管 图像传感器 掺杂类型 沟道形成区 处理电路 第一区域 衬底 栅极电介质层 电信号输出 栅极结构 电荷 | ||
【主权项】:
1.一种图像传感器,其特征在于,包括:衬底;设置在所述衬底中的多个像素单元,每个像素单元包括:栅极结构,包括:栅极,嵌入在所述衬底中;以及栅极电介质层,设置在所述衬底中并且围绕所述栅极的底面和侧面;多个浮置扩散区,彼此分离地设置在所述衬底中邻近上表面处,所述多个浮置扩散区围绕所述栅极结构并且与所述栅极电介质层接触;多个光电二极管,彼此分离地设置在所述衬底中,所述多个光电二极管与所述多个浮置扩散区一一对应地设置在所述多个浮置扩散区下方并且与所述栅极电介质层接触,其中,所述多个浮置扩散区具有第一掺杂类型,并且所述多个光电二极管各自包括具有第一掺杂类型的第一区域;以及多个沟道形成区,每个沟道形成区设置在相应的一个浮置扩散区与相应的一个光电二极管的第一区域之间,并且具有第二掺杂类型;以及多个处理电路,每个处理电路用于基于其所对应的一个或多个像素单元的每个浮置扩散区中的电荷来生成电信号并将所述电信号输出。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于德淮半导体有限公司,未经德淮半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910358073.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:图像传感器及其形成方法、工作方法
- 下一篇:图像传感器及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





