[发明专利]发光设备有效
| 申请号： | 201910357453.2 | 申请日： | 2015-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN110233190B | 公开（公告）日： | 2022-08-19 |
| 发明（设计）人： | 金景海;郑廷桓 | 申请（专利权）人： | 首尔伟傲世有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/02;H01L33/04;H01L33/06;H01L33/12;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 韩芳;尹淑梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种发光设备，所述发光设备包括：n型氮化物半导体层；设于n型氮化物半导体层上方的活性层；以及设于活性层上方的p型氮化物半导体层。n型氮化物半导体层包括：n型氮化物层；设于n型氮化物层上方的第一中间层；设于第一中间层上方的n型调制掺杂层。该发光二极管包括位于n型调制掺杂层上方的第二中间层。第二中间层包括其n型掺杂浓度比n型调制掺杂层的n型掺杂浓度高的子层。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 设备 | ||
【主权项】：
1.一种发光设备，其包括：n型氮化物半导体层；设于n型氮化物半导体层上方的活性层；以及设于活性层上方的p型氮化物半导体层，n型氮化物半导体层包括：n型氮化物基底层、设于n型氮化物基底层上方的第一中间层、设于第一中间层上方的n型调制掺杂层、以及设于n型调制掺杂层上方的第二中间层，其中，第二中间层包括超晶格层，该超晶格层包括第一子中间层和第二子中间层的堆叠结构，其中，第一子中间层和第二子中间层中的至少一个的n型掺杂浓度比n型调制掺杂层的n型掺杂浓度高。
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