[发明专利]发光设备

权利要求书

1.一种发光设备，其包括：

n型氮化物半导体层；

设于n型氮化物半导体层上方的活性层；以及

设于活性层上方的p型氮化物半导体层，

n型氮化物半导体层包括：n型氮化物基底层、设于n型氮化物基底层上方的第一中间层、设于第一中间层上方的n型调制掺杂层、以及设于n型调制掺杂层上方的第二中间层，其中，第二中间层包括超晶格层，该超晶格层包括第一子中间层和第二子中间层的堆叠结构，其中，第一子中间层和第二子中间层中的至少一个的n型掺杂浓度比n型调制掺杂层的n型掺杂浓度高。

2.如权利要求1所述的发光设备，其中第二子中间层的掺杂浓度低于第一子中间层的掺杂浓度，并且

其中，第一子中间层的n型掺杂物浓度为1×10¹⁸原子/cm³或更大。

3.如权利要求2所述的发光设备，其中n型调制掺杂层的n型掺杂物浓度等于或者大于1×10¹⁷原子/cm³，n型调制掺杂层的掺杂浓度低于第二中间层的第一子中间层的掺杂浓度。

4.如权利要求1所述的发光设备，其中n型调制掺杂层包括这样一种结构，其包括形成堆叠结构的相对高掺杂浓度区域和相对低掺杂浓度区域，且从远离第二中间层设置的一个相对高掺杂浓度区域至靠近第二中间层设置的另一相对高掺杂浓度区域，n型调制掺杂层的相对高掺杂浓度区域的掺杂浓度在空间上变化。

5.如权利要求1所述的发光设备，其中相对靠近活性层设置的一个第一子中间层的掺杂浓度高于相对远离活性层设置的另一第一子中间层的掺杂浓度。

6.如权利要求1所述的发光设备，其还包括：

第一超晶格层，其设置在n型氮化物半导体层和活性层之间；以及

第二超晶格层，其设置于第一超晶格层和活性层之间，

其中第一超晶格层包括其中GaN层和InGaN层重复彼此叠置的结构，第二超晶格层包括其中Al_xGa_(1-x)N层和Al_yGa_(1-y)N层重复彼此叠置的结构，其中0x1,0y1,且yx。

7.如权利要求1所述的发光设备，其中n型调制掺杂层包括这样一种结构，其包括形成堆叠结构的相对高掺杂浓度区域和相对低掺杂浓度区域，且n型调制掺杂层在n型调制掺杂层的最上部包括相对低掺杂浓度区域，使得第二中间层接触该相对低掺杂浓度区域。

8.如权利要求1所述的发光设备，其还包括：

未掺杂的氮化物半导体层，其设在n型氮化物基底层和衬底之间。

9.一种发光设备，其包括：

基于第一杂质的氮化物层，其形成于衬底上方，并且基于第一杂质的氮化物层的掺杂浓度比第一杂质调制掺杂层的暴露部的掺杂浓度低；

第一中间层，其形成于基于第一杂质的氮化物层上方且具有与基于第一杂质的氮化物层不同的组成；

第一杂质调制掺杂层，该层形成于第一中间层上方且具有其杂质浓度彼此不同的非暴露部和暴露部；以及

第二中间层，其形成于第一杂质调制掺杂层的暴露部上方且包括相对对方交替设置的第一子中间层和第二子中间层，第一子中间层的杂质浓度不同于第二子中间层的杂质浓度，并且

其中第一杂质调制掺杂层的暴露部和第二中间层与形成于第二中间层上方的第二杂质氮化物半导体层和活性层一同形成台面结构。

10.如权利要求9所述的发光设备，其中暴露部设置在非暴露部上方，且暴露部的掺杂浓度高于非暴露部的掺杂浓度。

11.如权利要求9所述的发光设备，其中第一杂质调制掺杂层的杂质浓度被调制成包括不高于1×10¹⁹原子/cm³的高掺杂浓度和不小于1×10¹⁸原子/cm³的低掺杂浓度。