[发明专利]一种PEDOT/Ti3C2Tx基微芯片超级电容器及其制备和应用在审
| 申请号： | 201910350179.6 | 申请日： | 2019-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN110098070A | 公开（公告）日： | 2019-08-06 |
| 发明（设计）人： | 王宏志;李建民;李耀刚;张青红;侯成义 | 申请（专利权）人： | 东华大学 |
| 主分类号： | H01G11/84 | 分类号： | H01G11/84;H01G11/86;H01G11/30;H01G11/48;G02F1/155;G02F1/163 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所 31233 | 代理人： | 黄志达;魏峯 |
| 地址： | 201620 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及PEDOT/Ti3C2Tx基微芯片超级电容器及其制备和应用。该超级电容器是由PEDOT/Ti3C2Tx复合薄膜制备得到。该方法包括：Ti3C2Tx二维材料制成水系分散液制备；Ti3C2Tx透明导电薄膜制备；PEDOT/Ti3C2Tx复合薄膜制备；微芯片超级电容器制备。该方法简单，工艺过程温和，可大批量生产，为制备多功能微芯片器件提供了新的思路，在电子信息领域有巨大的应用前景；该超级电容器同时具有储能、电致变色两种功能。 | ||
| 搜索关键词： | 超级电容器 制备 微芯片 复合薄膜制备 制备和应用 电子信息领域 透明导电薄膜 水系分散液 微芯片器件 电致变色 二维材料 工艺过程 储能 应用 生产 | ||
【主权项】：
1.一种PEDOT/Ti3C2Tx基微芯片超级电容器，其特征在于，所述超级电容器是由PEDOT/Ti3C2Tx复合薄膜制备得到；所述PEDOT/Ti3C2Tx复合薄膜是由PEDOT电化学沉积到Ti3C2Tx透明导电薄膜表面得到。
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