[发明专利]一种PEDOT/Ti3C2Tx基微芯片超级电容器及其制备和应用在审
| 申请号： | 201910350179.6 | 申请日： | 2019-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN110098070A | 公开（公告）日： | 2019-08-06 |
| 发明（设计）人： | 王宏志;李建民;李耀刚;张青红;侯成义 | 申请（专利权）人： | 东华大学 |
| 主分类号： | H01G11/84 | 分类号： | H01G11/84;H01G11/86;H01G11/30;H01G11/48;G02F1/155;G02F1/163 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所 31233 | 代理人： | 黄志达;魏峯 |
| 地址： | 201620 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 超级电容器 制备 微芯片 复合薄膜制备 制备和应用 电子信息领域 透明导电薄膜 水系分散液 微芯片器件 电致变色 二维材料 工艺过程 储能 应用 生产 | ||
1.一种PEDOT/Ti3C2Tx基微芯片超级电容器，其特征在于，所述超级电容器是由PEDOT/Ti3C2Tx复合薄膜制备得到；所述PEDOT/Ti3C2Tx复合薄膜是由PEDOT电化学沉积到Ti3C2Tx透明导电薄膜表面得到。
2.一种PEDOT/Ti3C2Tx基微芯片超级电容器的制备方法，包括：
(1)将Ti3AlC2进行化学刻蚀，将得到的Ti3C2Tx二维材料制成水系分散液；
(2)将步骤(1)中水系分散液喷涂在玻璃片表面，制备得到Ti3C2Tx透明导电薄膜；
(3)通过电化学沉积将PEDOT沉积到上述Ti3C2Tx透明导电薄膜表面，得到PEDOT/Ti3C2Tx复合薄膜；
(4)将上述PEDOT/Ti3C2Tx复合薄膜程序控制自动化机械臂划刻制备PEDOT/Ti3C2Tx基微芯片超级电容器。
3.根据权利要求2所述方法，其特征在于，所述步骤(1)中Ti3AlC2为10～100微米；Ti3C2Tx二维材料片层大小为100纳米～10微米。
4.根据权利要求2所述方法，其特征在于，所述步骤(1)中水系分散液浓度为0.1～10毫克每毫升。
5.根据权利要求2所述方法，其特征在于，所述步骤(1)中化学刻蚀温度为20～60℃，化学刻蚀时间为12～36小时。
6.根据权利要求2所述方法，其特征在于，所述步骤(2)中喷涂时间为1～60分钟。
7.根据权利要求2所述方法，其特征在于，所述步骤(3)中电化学沉积时间为1～30分钟；电化学沉积所用电压为0.8～2.5伏。
8.根据权利要求2所述方法，其特征在于，所述步骤(4)中自动化机械臂划刻中所用机械臂长度和刀片厚度可根据需要调整尺寸。
9.一种如权利要求1所述超级电容器的应用。
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