[发明专利]沟槽型MOSFET器件制造方法在审
| 申请号： | 201910347466.1 | 申请日： | 2019-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN110047759A | 公开（公告）日： | 2019-07-23 |
| 发明（设计）人： | 蔡金勇 | 申请（专利权）人： | 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;刘静 |
| 地址： | 310012 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 公开一种沟槽型MOSFET器件制造方法，包括在基层中形成从上表面延伸至其内部的沟槽；在沟槽的下部形成第一绝缘层和屏蔽导体；在位于沟槽中部的第二绝缘层的上部形成栅极介质层和栅极导体，栅极导体的顶部低于所述外延层的上表面；以及在形成体区之前，在栅极导体顶部邻近沟槽侧壁的区域形成阻挡区，以阻止后续离子注入时的杂质从沟槽的侧壁注入外延层中。本发明提出的沟槽型MOSFET器件制造方法，在形成体区之前形成阻挡区，可防止注入的离子从沟槽中回刻蚀栅极导体的位置的侧壁注入外延层，避免栅极导体回刻深度对体区和源区深度的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极导体 沟槽型MOSFET 器件制造 外延层 绝缘层 上表面 形成体 阻挡区 侧壁 离子 栅极介质层 沟槽侧壁 屏蔽导体 区域形成 回刻蚀 回刻 体区 源区 邻近 延伸 基层 | ||
【主权项】：
1.一种沟槽型MOSFET器件制造方法，其特征在于，包括：在基层中形成从上表面延伸至其内部的沟槽；在所述沟槽的下部形成第一绝缘层和屏蔽导体；在所述沟槽的上部形成栅极介质层和栅极导体，其中，所述栅极导体的顶部低于所述基层的上表面；以及在形成体区之前，在所述栅极导体顶部邻近所述沟槽侧壁的区域形成阻挡区，以阻止后续离子注入时的杂质从所述沟槽的侧壁注入所述基层中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
