[发明专利]沟槽型MOSFET器件制造方法

权利要求书

1.一种沟槽型MOSFET器件制造方法，其特征在于，包括：

在基层中形成从上表面延伸至其内部的沟槽；

在所述沟槽的下部形成第一绝缘层和屏蔽导体；

在所述沟槽的上部形成栅极介质层和栅极导体，其中，所述栅极导体的顶部低于所述基层的上表面；以及

在形成体区之前，在所述栅极导体顶部邻近所述沟槽侧壁的区域形成阻挡区，以阻止后续离子注入时的杂质从所述沟槽的侧壁注入所述基层中。

2.根据权利要求1所述的沟槽型MOSFET器件制造方法，其特征在于，形成所述阻挡区的步骤包括：

在所述栅极导体顶部和所述栅极介质层上形成第三绝缘层；以及

刻蚀所述第三绝缘层以形成位于所述栅极导体顶部邻近所述沟槽侧壁区域的所述阻挡区。

3.根据权利要求2所述的沟槽型MOSFET器件制造方法，其特征在于，所述第三绝缘层为正硅酸乙酯氧化层。

4.根据权利要求1所述的沟槽型MOSFET器件制造方法，其特征在于，所述阻挡区的厚度随所述基层上表面至所述栅极导体顶部的距离变化而自适应变化。

5.根据权利要求4所述的沟槽型MOSFET器件制造方法，其特征在于，位于所述沟槽内的所述阻挡区靠近所述沟槽侧壁的厚度大于所述阻挡区远离所述沟槽侧壁的厚度。

6.根据权利要求5所述的沟槽型MOSFET器件制造方法，其特征在于，所述阻挡区的厚度小于或者等于所述基层上表面至所述栅极导体顶部的距离。

7.根据权利要求1所述的沟槽型MOSFET器件制造方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述沟槽中形成位于所述屏蔽导体和所述栅极导体之间的第二绝缘层。

8.根据权利要求7所述的沟槽型MOSFET器件制造方法，其特征在于，形成所述栅极导体的步骤包括：

在所述第二绝缘层上方填充导体层，所述导体层包括位于所述沟槽内的第一部分和位于所述基层上表面的第二部分；以及

回刻蚀所述导体层以形成所述栅极导体。

9.根据权利要求8所述的沟槽型MOSFET器件制造方法，其特征在于，至少回刻蚀所述导体层的所述第二部分以形成所述栅极导体。

10.根据权利要求1所述的沟槽型MOSFET器件制造方法，其特征在于，所述屏蔽导体和所述栅极导体分别包括多晶硅。

11.根据权利要求1所述的沟槽型MOSFET器件制造方法，其特征在于，所述第一绝缘层位于所述沟槽的下部侧壁和底部，且将所述屏蔽导体与所述基层隔离。

12.根据权利要求7所述的沟槽型MOSFET器件制造方法，其特征在于，形成所述第二绝缘层的步骤包括：

在所述屏蔽导体和所述第一绝缘层的顶部形成绝缘层；以及

对所述绝缘层进行化学机械抛光及刻蚀处理以形成所述第二绝缘层。

13.根据权利要求12所述的沟槽型MOSFET器件制造方法，其特征在于，所述第二绝缘层采用高密度等离子体化学气相淀积工艺形成。

14.根据权利要求2所述的沟槽型MOSFET器件制造方法，其特征在于，所述刻蚀为干法刻蚀。

15.根据权利要求1所述的沟槽型MOSFET器件制造方法，其特征在于，所述栅极介质层位于所述沟槽的上部侧壁，且将所述栅极导体与所述基层隔离。