[发明专利]一种增强环形量子点结构中自旋热电势的方法有效
申请号: | 201910343318.2 | 申请日: | 2019-04-25 |
公开(公告)号: | CN110085733B | 公开(公告)日: | 2022-11-29 |
发明(设计)人: | 迟锋;易子川;刘黎明 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学中山学院 |
主分类号: | H01L35/34 | 分类号: | H01L35/34;G01K7/02 |
代理公司: | 广东雅商律师事务所 44652 | 代理人: | 杜海江 |
地址: | 528400 *** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种增强环形量子点结构中自旋热电势的方法,该方法通过将三个半导体量子点耦合成环形结构,并对与量子点连接的两侧电极施加热辐射,让环形量子点结构中存在温度梯度;如果在连接量子点的隧道结上施加磁场,则量子点之间的耦合强度可以变得和自旋自由度有关,从而不同自旋方向的电子流经量子点结构时,会发生不同的干涉效应,使得自旋向上和自旋向下热电势的尖峰在量子点能量空间分开,从而获得纯热电势;通过调整结构参数,可以让环形量子点结构的自旋热电势进一步增强,为设计快速响应、高效低能耗和灵敏温度探测提供基础;优于传统的电荷热电势,突破了热电效率低下的限制,且适用于自旋过滤装置或热电转换领域。 | ||
搜索关键词: | 一种 增强 环形 量子 结构 自旋 电势 方法 | ||
【主权项】:
1.一种增强环形量子点结构中自旋热电势的方法,其特征在于该方法的步骤如下:(1)、将三个或三个以上的半导体量子点通过隧道结耦合成环形量子点结构;(2)、通过阴极探针对环形量子点结构进行X、Y和Z三个方向的空间限制;(3)、在环形量子点结构的两侧安设与外电路相连接的左电极和右电极,然后在左电极和右电极施加热辐射,令左电极和右电极之间具有温度梯度;(4)、往环形量子点结构注入电子,让自旋朝上与自旋朝下的电子在环形量子点结构的自旋相关耦合以及温度梯度的影响下发生分离,且分别往左电极与右电极方向移动,让环形量子点结构的自旋热电势进一步增强。
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