[发明专利]一种增强环形量子点结构中自旋热电势的方法有效
| 申请号： | 201910343318.2 | 申请日： | 2019-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN110085733B | 公开（公告）日： | 2022-11-29 |
| 发明（设计）人： | 迟锋;易子川;刘黎明 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学中山学院 |
| 主分类号： | H01L35/34 | 分类号： | H01L35/34;G01K7/02 |
| 代理公司： | 广东雅商律师事务所 44652 | 代理人： | 杜海江 |
| 地址： | 528400 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 增强 环形 量子 结构 自旋 电势 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种增强环形量子点结构中自旋热电势的方法，其特征在于该方法的步骤如下：
（1）、将三个或三个以上的半导体量子点通过隧道结耦合成环形量子点结构；
（2）、通过阴极探针对环形量子点结构进行X、Y和Z三个方向的空间限制；
（3）、在环形量子点结构的两侧安设与外电路相连接的左电极和右电极，然后在左电极和右电极施加热辐射，令左电极和右电极之间具有温度梯度；
（4）、往环形量子点结构注入电子，让自旋朝上与自旋朝下的电子在环形量子点结构的自旋相关耦合以及温度梯度的影响下发生分离，且分别往左电极与右电极方向移动，让环形量子点结构的自旋热电势进一步增强。
2.根据权利要求1所述的增强环形量子点结构中自旋热电势的方法，其特征在于所述步骤（1）的半导体量子点粒径范围是2nm～1μm。
3.根据权利要求1所述的增强环形量子点结构中自旋热电势的方法，其特征在于所述步骤（3）的热势差取值范围是5K～18K。
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