[发明专利]一种多孔GaN导电DBR及其制备方法有效
| 申请号： | 201910342832.4 | 申请日： | 2019-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN110061109B | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 张宇;魏斌 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/46;H01S5/183 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 赵龙群 |
| 地址： | 250199 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种多孔GaN导电DBR及其制备方法，包括自下而上依次生长的衬底、缓冲层、非故意掺杂GaN层、n型故意掺杂氮化镓层和多孔GaN导电DBR层；所述多孔GaN导电DBR层由高孔洞率多孔GaN层和低孔洞率多孔GaN层交替堆叠形成。本发明不存在晶格失配问题，结构稳定，且多孔GaN导电DBR层具有高反射率、导电性好、中心波长可调的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多孔 gan 导电 dbr 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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