[发明专利]一种多孔GaN导电DBR及其制备方法

权利要求书

1.一种多孔GaN导电DBR，其特征在于，包括自下而上依次生长的衬底、缓冲层、非故意掺杂GaN层、n型故意掺杂氮化镓层和多孔GaN导电DBR层；

所述多孔GaN导电DBR层由高孔洞率多孔GaN层和低孔洞率多孔GaN层交替堆叠形成；

所述多孔GaN导电DBR层包括5对以上交替堆叠的高孔洞率多孔GaN层和低孔洞率多孔GaN层，高孔洞率多孔GaN层的孔洞率为30％以上，低孔洞率多孔GaN层的孔洞率为20％；

所述高孔洞率多孔GaN层和低孔洞率多孔GaN层为分别采用电化学腐蚀的方法对交替堆叠的n型重掺杂GaN层与n型轻掺杂GaN层进行腐蚀得到，所述n型重掺杂GaN层与n型轻掺杂GaN层的掺杂剂为硅或锗；

上述多孔GaN导电DBR的制备方法，包括以下步骤：

(1)在衬底上生长缓冲层和非故意掺杂GaN层；

(2)在非故意掺杂GaN层上生长n型掺杂GaN层；

(3)在n型掺杂GaN层上生长5对以上交替堆叠的n型重掺杂GaN层与n型轻掺杂GaN层；

(4)利用电化学腐蚀的方法对交替堆叠的n型轻掺杂GaN层与n型重掺杂GaN层进行纵向腐蚀，形成高孔洞率多孔GaN层和低孔洞率GaN层交叠的多周期多孔GaN导电DBR。

2.根据权利要求1所述的多孔GaN导电DBR，其特征在于，所述n型掺杂GaN层的掺杂剂为硅或锗，掺杂浓度为1×10¹⁸～5×10¹⁹cm^-3。

3.根据权利要求1所述的多孔GaN导电DBR，其特征在于，所述多孔GaN导电DBR层的孔径为1nm～300nm。

4.根据权利要求1所述的多孔GaN导电DBR，其特征在于，所述缓冲层为非故意掺杂GaN或AlN。

5.根据权利要求1所述的多孔GaN导电DBR，其特征在于，所述衬底为蓝宝石、硅、碳化硅或玻璃，衬底的结构为平面或图形。

6.根据权利要求1所述的多孔GaN导电DBR，其特征在于，步骤(4)中采用选择性电化学腐蚀溶液进行腐蚀，所述选择性电化学腐蚀溶液为弱酸、弱碱或中性盐溶液。

7.根据权利要求6所述的多孔GaN导电DBR，其特征在于，选择性电化学腐蚀溶液为氢氧化钠、盐酸、氯化钠或硝酸钠。