[发明专利]一种铜碘杂化半导体材料及其光电应用

摘要

本发明公开了一种铜碘基无机‑有机杂化半导体材料及其制备与应用。所述的杂化半导体分子结构式为(Mebtz)2Cu3I5，式中的Mebtz是带有一个正电荷的甲基化的苯并噻唑阳离子，该材料中的Cu3I5阴离子为双核(Cu2I6)单元和平面三角形(CuI3)交替连接形成的一维阴离子链。通过选择碘化亚铜，苯并噻唑，碘化钾，甲醇，乙腈和氢碘酸为反应原料，在溶剂热的条件下获得了化合物(Mebtz)2Cu3I5的单晶，用于光电探测及太阳能电池材料领域。

主权项

1.一种具有光电转换性能的铜碘基杂化半导体材料，其特征在于：该杂化材料的结构式为(Mebtz)₂Cu₃I₅，式中的Mebtz表示甲基化苯并噻唑，由苯并噻唑经过甲基化反应形成；所述的铜碘基杂化材料结晶于单斜晶系，C2/c空间群，单胞参数为a = 16.16(4) Å，b = 13.64(17) Å，c = 14.16(3) Å，α = 90 º，β = 122.98 º，γ = 90 º；材料晶体的颜色为墨绿色，表现为离子型有机‑无机杂化型结构，其中阳离子为带一个单位正电荷的甲基化苯并噻唑阳离子，阴离子是由(Cu₂I₆)双核单元与(CuI₃)平面三角交替共边连接形成的(Cu₃I₅)^2–一维链。