[发明专利]一种铜碘杂化半导体材料及其光电应用有效
| 申请号： | 201910341658.1 | 申请日： | 2019-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN110054638B | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 许让栋;刘广宁;赵若愚;王洋洋;吴倩;李村成 | 申请（专利权）人： | 济南大学 |
| 主分类号： | C07F1/08 | 分类号： | C07F1/08;H01L51/46 |
| 代理公司： | 济南誉丰专利代理事务所(普通合伙企业) 37240 | 代理人： | 李茜 |
| 地址： | 250022 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 铜碘杂化 半导体材料 及其 光电 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种具有光电转换性能的铜碘基杂化半导体材料，其特征在于：该杂化材料的结构式为(Mebtz)2Cu3I5，式中的Mebtz表示甲基化苯并噻唑，由苯并噻唑经过甲基化反应形成；所述的铜碘基杂化材料结晶于单斜晶系，C2/c空间群，单胞参数为a = 16.16(4) Å，b =13.64(17) Å，c = 14.16(3) Å，α = 90 º，β = 122.98 º，γ = 90 º；材料晶体的颜色为墨绿色，表现为离子型有机-无机杂化型结构，其中阳离子为带一个单位正电荷的甲基化苯并噻唑阳离子，阴离子是由(Cu2I6)双核单元与(CuI3)平面三角交替共边连接形成的(Cu3I5)2–一维链。
2.一种权利要求1所述的具有光电转换性能的铜碘基杂化半导体材料的用途，其特征在于：用于半导体及光电转换器件。
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