[发明专利]一种半导体器件及形成方法在审
| 申请号： | 201910335447.7 | 申请日： | 2019-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN111863708A | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 韩亮;王海英 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/764 | 分类号： | H01L21/764;H01L27/11524 |
| 代理公司： | 北京睿派知识产权代理事务所(普通合伙) 11597 | 代理人： | 刘锋;方岩 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例提供了一种半导体器件及形成方法。本发明实施例中，通过在金属硅化物层的上方形成第一介质层，并在第一介质层形成后，沉积第二介质层，以在所述第一堆叠结构之间形成空气隙，由于晶体生长的特性，第二介质层更倾向于先在第一介质层上成核、生长。使第二介质层在第一介质层上的生长速率大于在第一堆叠结构的侧壁的生长速率。因此，能够使得第二介质层在第一堆叠结构之间的空气隙的顶端高于或齐平于第一堆叠结构的顶部表面。同时，能够使形成的空气隙的宽度较大。因此，能够降低相邻第一堆叠结构之间的电容，降低相邻第一堆叠结构之间发生编程串扰的几率。从而，能够提高半导体器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
