[发明专利]一种半导体器件及形成方法

说明书

本发明实施例提供了一种半导体器件及形成方法。本发明实施例中，通过在金属硅化物层的上方形成第一介质层，并在第一介质层形成后，沉积第二介质层，以在所述第一堆叠结构之间形成空气隙，由于晶体生长的特性，第二介质层更倾向于先在第一介质层上成核、生长。使第二介质层在第一介质层上的生长速率大于在第一堆叠结构的侧壁的生长速率。因此，能够使得第二介质层在第一堆叠结构之间的空气隙的顶端高于或齐平于第一堆叠结构的顶部表面。同时，能够使形成的空气隙的宽度较大。因此，能够降低相邻第一堆叠结构之间的电容，降低相邻第一堆叠结构之间发生编程串扰的几率。从而，能够提高半导体器件的可靠性。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体器件及形成方法。

背景技术

随着半导体制造工艺的不断发展，半导体器件的集成度越来越高，半导体器件的特征尺寸也逐渐缩小。然而，半导体器件的可靠性还需要提高。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供了一种半导体器件及形成方法，能够提高半导体器件的可靠性。

本发明实施例所述的方法包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底包括单元区，所述单元区内的半导体衬底上形成有多个分立的第一堆叠结构，所述第一堆叠结构上方形成有第一氧化层；

在所述第一堆叠结构上形成第二氧化层；

形成隔离层，所述隔离层填充第一堆叠结构之间的间隙，并覆盖所述第二氧化层的顶面；

刻蚀所述隔离层，以露出所述第二氧化层；

刻蚀部分所述第二氧化层和所述第一氧化层，以露出所述第一堆叠结构的顶部；

在所述第一堆叠结构上方形成图案化的金属硅化物层，所述金属硅化物层的顶部低于所述刻蚀后的隔离层的顶部；

形成覆盖所述金属硅化物层的第一介质层；

去除第一堆叠结构之间的所述隔离层；

沉积第二介质层，以在所述第一堆叠结构之间形成空气隙，其中，所述空气隙的上表面高于第一堆叠结构的上表面。

进一步地，所述空气隙的上表面高于所述金属硅化物层的上表面。

进一步地，所述第一介质层和所述第二介质层的材料相同。

进一步地，所述在所述第一堆叠结构上形成第二氧化层具体为采用高温氧化法在所述第一堆叠结构上形成所述第二氧化层。

进一步地，所述第二介质层为氧化硅，所述沉积第二介质层具体为采用等离子增强氧化法形成所述第二介质层。

进一步地，所述半导体衬底还包括外围区，所述外围区的半导体衬底上形成有多个第二堆叠结构，

所述第二堆叠结构和所述单元区的第一堆叠结构之间形成有沟槽，所述隔离层形成后覆盖所述沟槽的底部和侧壁。

进一步地，所述方法在刻蚀所述隔离层之前，还包括：

在所述沟槽底部的隔离层上沉积预定厚度的有机介质层，并回刻蚀单元区上方的隔离层；或者

采用化学机械研磨工艺减薄单元区上方的隔离层。

进一步地，在所述刻蚀所述第一氧化层后，所述沟槽的侧壁的隔离层的上表面低于所述第一堆叠结构间隙的隔离层的上表面。

进一步地，所述第二堆叠结构包括依次叠置的浮栅、图案化的栅间介质层和控制栅。

进一步地，所述第一堆叠结构包括依次叠置的浮栅、栅间介质层和控制栅。

另一方面，本发明实施例提供一种半导体器件，所述半导体器件包括：