[发明专利]一种基于薄膜晶体管的自举结构放大器及芯片在审

专利信息
申请号: 201910331863.X 申请日: 2019-04-24
公开(公告)号: CN110113016A 公开(公告)日: 2019-08-09
发明(设计)人: 陈荣盛;范厚波;李国元;徐煜明;覃俣宁;吴朝晖;李斌 申请(专利权)人: 华南理工大学
主分类号: H03F1/34 分类号: H03F1/34;H03G3/30;H01L23/31
代理公司: 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 代理人: 胡辉
地址: 510640 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种基于薄膜晶体管的自举结构放大器及芯片,包括:输入电路、输出缓冲器以及若干个自举结构单元,自举结构单元包含薄膜晶体管和电容,薄膜晶体管的漏极和栅极均与同一电压节点连接,薄膜晶体管的源极与电容的一端连接,电容的另一端与输出信号节点连接,输出缓冲器由若干个薄膜晶体管的源极与漏极串联组成,输出缓冲器的两端分别连接输入电压节点和输出信号节点,每个自举结构单元中的薄膜晶体管的源极连接一个输出缓冲器中的薄膜晶体管的栅极,输入电路包括输入信号节点、输出信号节点和接地节点。本发明可以提高电路增益,结构简单,制造成本低。本发明可以广泛应用于集成电路领域。
搜索关键词: 薄膜晶体管 自举 输出缓冲器 输出信号节点 电容 结构放大器 输入电路 漏极 源极 芯片 集成电路领域 输入电压节点 输入信号节点 电路增益 电压节点 接地节点 一端连接 源极连接 制造成本 串联 应用
【主权项】:
1.一种基于薄膜晶体管的自举结构放大器,其特征在于,包括:输入电路、输出缓冲器以及若干个自举结构单元;所述自举结构单元包含薄膜晶体管和电容,所述薄膜晶体管的漏极和栅极均与同一电压节点连接,所述薄膜晶体管的源极与所述电容的一端连接,所述电容的另一端与输出信号节点连接;所述输出缓冲器由若干个薄膜晶体管串联组成,所述输出缓冲器的两端分别连接输入电压节点和输出信号节点;每个所述自举结构单元中的薄膜晶体管的源极连接一个所述输出缓冲器中的薄膜晶体管的栅极;所述输入电路包括输入信号节点、输出信号节点和接地节点。
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