[发明专利]一种基于薄膜晶体管的自举结构放大器及芯片

权利要求书

1.一种基于薄膜晶体管的自举结构放大器，其特征在于，包括：

输入电路、输出缓冲器以及若干个自举结构单元；

所述自举结构单元包含薄膜晶体管和电容，所述薄膜晶体管的漏极和栅极均与同一电压节点连接，所述薄膜晶体管的源极与所述电容的一端连接，所述电容的另一端与输出信号节点连接；

所述输出缓冲器由若干个薄膜晶体管串联组成，所述输出缓冲器的两端分别连接输入电压节点和输出信号节点；

每个所述自举结构单元中的薄膜晶体管的源极连接一个所述输出缓冲器中的薄膜晶体管的栅极；

所述输入电路包括输入信号节点、输出信号节点和接地节点。

2.根据权利要求1所述的基于薄膜晶体管的自举结构放大器，其特征在于，所述薄膜晶体管均为n型薄膜晶体管。

3.根据权利要求1所述的基于薄膜晶体管的自举结构放大器，其特征在于，所述自举结构单元中的薄膜晶体管工作时处于截止状态。

4.根据权利要求1所述的基于薄膜晶体管的自举结构放大器，其特征在于，所述输入电路由共源共栅电路构成。

5.根据权利要求4所述的基于薄膜晶体管的自举结构放大器，其特征在于，所述输入电路包含两个n型薄膜晶体管。

6.根据权利要求5所述的基于薄膜晶体管的自举结构放大器，其特征在于，所述输入电路的两个n型薄膜晶体管工作时均处于饱和区。

7.根据权利要求1所述的基于薄膜晶体管的自举结构放大器，其特征在于，所述放大器包括第一至第四自举结构单元；所述输出缓冲器包括4个薄膜晶体管。

8.根据权利要求7所述的基于薄膜晶体管的自举结构放大器，其特征在于：

所述输入电路由第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管构成，所述第一薄膜晶体管的源极与接地节点连接，所述第一薄膜晶体管的漏极连接第二薄膜晶体管的源极，所述第二薄膜晶体管的漏连接所述输出信号节点，所述第一薄膜晶体管的栅极连接所述输入信号节点，所述第二薄膜晶体管的栅极连接偏置电压节点；

所述输出缓冲器由第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管构成，所述第六薄膜晶体管的漏接连接所述输入电压节点，所述第六薄膜晶体管的源极连接第五薄膜晶体管的漏极，所述第五薄膜晶体管的源极连接第四薄膜晶体管的漏极，所述的第四薄膜晶体管的源极连接第三薄膜晶体管的漏极，所述第三薄膜晶体管的源极连接所述输出信号节点；

第一自举结构单元由第七薄膜晶体管和第一电容构成，所述第七薄膜晶体管的漏极及栅极均连接第一偏置电压节点，所述第七薄膜晶体管的源极连接所述第三薄膜晶体管的栅极及所述第一电容的一端，所述第一电容的另一端连接所述输出信号节点；

第二自举结构单元由第八薄膜晶体管和第二电容构成，所述第八薄膜晶体管的漏极及栅极均连接第二偏置电压节点，所述第八薄膜晶体管的源极连接所述第四薄膜晶体管的栅极及所述第二电容的一端，所述第二电容的另一端连接所述输出信号节点；

第三自举结构单元由第九薄膜晶体管和第三电容构成，所述第九薄膜晶体管的漏极及栅极均连接第三偏置电压节点，所述第九薄膜晶体管的源极连接所述第五薄膜晶体管的栅极及所述第三电容的一端，所述第三电容的另一端连接所述输出信号节点；

第四自举结构单元由第十薄膜晶体管和第四电容构成，所述第十薄膜晶体管的漏极及栅极均连接第四偏置电压节点，所述第十薄膜晶体管的源极连接所述第六薄膜晶体管的栅极及所述第四电容的一端，所述第四电容的另一端连接所述输出信号节点。

9.一种芯片，其特征在于，包括：封装和如权利要求1-8所述的基于薄膜晶体管的自举结构放大器，所述基于薄膜晶体管的自举结构放大器被包裹在封装之内。