[发明专利]一种相变材料、相变存储单元及其制备方法有效
| 申请号： | 201910329526.7 | 申请日： | 2019-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN110061131B | 公开（公告）日： | 2022-09-09 |
| 发明（设计）人： | 宋三年;薛媛;宋志棠 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海泰博知识产权代理有限公司 31451 | 代理人： | 钱文斌 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明提供一种相变材料、相变存储单元及其制备方法，其中，相变材料包括钽元素、锑元素及碲元素，相变材料的化学式为Ta |
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| 搜索关键词： | 一种 相变 材料 存储 单元 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种相变材料，其特征在于：所述相变材料包括钽元素、锑元素及碲元素，所述相变材料的化学式为TaxSbyTez，其中，x、y、z均指元素的原子百分比，且1≤x≤25，0.5≤y:z≤3，x+y+z＝100。
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