[发明专利]一种相变材料、相变存储单元及其制备方法有效
| 申请号： | 201910329526.7 | 申请日： | 2019-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN110061131B | 公开（公告）日： | 2022-09-09 |
| 发明（设计）人： | 宋三年;薛媛;宋志棠 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海泰博知识产权代理有限公司 31451 | 代理人： | 钱文斌 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 相变 材料 存储 单元 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种相变材料，其特征在于：所述相变材料包括钽元素、锑元素及碲元素，所述相变材料的化学式为TaxSbyTez，其中，x、y、z均指元素的原子百分比，且4≤x≤8，36≤y≤39.6，54≤z≤59.4，x+y+z=100。
2.根据权利要求1所述的相变材料，其特征在于：所述相变材料在400 ℃温度下退火处理30分钟后的平均晶粒尺寸小于30 nm。
3.一种相变存储器单元，其特征在于：包括：
下电极层；
上电极层；
相变材料层，位于所述下电极层与所述上电极层之间，所述相变材料层包括如权利要求1~2任意一项所述的相变材料。
4.根据权利要求3所述的相变存储器单元，其特征在于：所述相变材料层的厚度范围是20 nm-150 nm。
5.一种相变存储器单元的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
制备下电极层；
制备相变材料层于所述下电极层上，所述相变材料层包括如权利要求1~2任意一项所述的相变材料；
制备上电极层于所述相变材料层上。
6.根据权利要求5所述的相变存储器单元的制备方法，其特征在于：制备所述相变材料层的方法包括磁控溅射法、化学气相沉积法、原子层沉积法、电子束蒸镀法中的任意一种。
7.根据权利要求5所述的相变存储器单元的制备方法，其特征在于：采用单质靶共溅射制备或者采用合金靶溅射制备所述相变材料。
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