[发明专利]OLED显示面板及其制备方法

摘要

一种OLED显示面板及制备方法，包括玻璃基板、第一底栅极、光遮挡层、缓冲层、第一多晶硅层、第二多晶硅层、栅极绝缘层、第一顶栅极、第二顶栅极、层间绝缘层、第一源极、第一漏极、第二源极、第二漏极、钝化层、平坦化层、像素电极、像素定义层、OLED发光器件以及阴极金属层；所述第一源极经由过孔与所述第一底栅极相接触，所述第二源极经由另一过孔与所述光遮挡层相接触。

主权项

1.一种OLED显示面板，其特征在于，包括：玻璃基板；第一底栅极，设于所述玻璃基板上；光遮光层，设于所述玻璃基板上并与所述第一底栅极间隔设置；缓冲层，设于所述玻璃基板上并覆盖所述第一底栅极以及所述光遮光层；第一多晶硅层，设于所述缓冲层的表面并位于所述第一底栅极的上方，所述第一多晶硅层的两侧区域经离子掺杂形成第一离子掺杂多晶硅层；第二多晶硅层，设于所述缓冲层的表面并与所述第一多晶硅层间隔设置，第二多晶硅层位于所述光遮光层的上方，所述第二多晶硅层的两侧区域经所述离子掺杂形成第二离子掺杂多晶硅层；栅极绝缘层，设于所述缓冲层上并完全覆盖所述第一多晶硅层以及所述第二多晶硅层；第一顶栅极，设于所述栅极绝缘层上并位于所述第一多晶硅层的上方；第二顶栅极，设于所述栅极绝缘层上并位于所述第二多晶硅层的上方，所述第二顶栅极与所述第一顶栅极间隔设置；层间绝缘层，设于所述栅极绝缘层上并覆盖所述第一顶栅极以及所述第二顶栅极；第一源极以及第一漏极，位于所述第一顶栅极两侧；第二源极以及第二漏极，位于所述第二顶栅极两侧；钝化层，设于所述层间绝缘层上并覆盖第一源极、第一漏极、第二源极以及第二漏极；平坦化层，设于所述钝化层上；像素电极，设于所述平坦化层上并与所述第二漏极相接触；像素定义层，设于所述平坦化层上并与所述像素电极的边缘两侧相接触；OLED发光器件，设于所述像素电极上；阴极金属层，设于所述OLED发光器件上；其中，所述第一源极经由过孔与所述第一底栅极相接触，所述第二源极经由另一过孔与所述光遮挡层相接触。