[发明专利]OLED显示面板及其制备方法

说明书

一种OLED显示面板及制备方法，包括玻璃基板、第一底栅极、光遮挡层、缓冲层、第一多晶硅层、第二多晶硅层、栅极绝缘层、第一顶栅极、第二顶栅极、层间绝缘层、第一源极、第一漏极、第二源极、第二漏极、钝化层、平坦化层、像素电极、像素定义层、OLED发光器件以及阴极金属层；所述第一源极经由过孔与所述第一底栅极相接触，所述第二源极经由另一过孔与所述光遮挡层相接触。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种OLED显示面板及其制备方法。

背景技术

随着平面显示领域的发展，面板显示越来越趋于高频率、高解析度特性，对面板驱动就提出更高的要求。目前AMOLED(有源矩阵发光二极体面板)显示器的像素驱动电路通常采用TFT(薄膜晶体管)阵列基板，与非晶体相比，其载流子浓度是非晶硅的十倍。TFT采用低温多晶硅(LTPS)材料由于其具有较高的迁移率，可以使用体积较小的TFT实现对液晶分子的偏转驱动，更好的满足驱动电流要求，应用越来越广泛。现有技术发现，TFT阵列基板采用双栅极低温多晶硅薄膜晶体管相比单栅极低温多晶硅薄膜晶体管具有更优的性能，如电子迁移率高，开态电流较大、亚阈值摆幅更小、阈值电压的稳定性及均匀性更好、栅极偏压及照光稳定性更好等。然而，其不容易达到饱和电流，用作驱动TFT需求的电压较高，不利于实际使用。

综上所述，现有的OLED显示面板及其制备方法，由于在像素驱动电路中采用双栅极低温多晶硅薄膜晶体管结构时，像素驱动电路难以达到饱和电流，导致像素驱动电压较大，进一步影响了OLED显示装置的工作稳定性。

发明内容

本发明提供一种OLED显示面板，能够提高了电容充电速度，进一步减少了电容充电时间，以解决现有的OLED显示面板及其制备方法，由于在像素驱动电路中采用双栅极低温多晶硅薄膜晶体管结构时，像素驱动电路难以达到饱和电流，导致像素驱动电压较大，进一步影响了OLED显示装置的工作稳定性的技术问题。

为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：

本发明提供一种OLED显示面板，包括：

包括玻璃基板、第一底栅极、光遮挡层、缓冲层、第一多晶硅层、第二多晶硅层、栅极绝缘层、第一顶栅极、第二顶栅极、层间绝缘层、第一源极、第一漏极、第二源极、第二漏极、钝化层、平坦化层、像素电极、像素定义层、OLED发光器件以及阴极金属层；

其中，所述第一源极经由过孔与所述第一底栅极相接触，所述第二源极经由另一过孔与所述光遮挡层相接触。

根据本发明一优选实施例，所述离子掺杂为N型掺杂或P型掺杂。

根据本发明一优选实施例，所述层间绝缘层上开设有第一过孔以及第二过孔，所述第一源极以及所述第一漏极分别通过所述第一过孔与所述第一离子掺杂多晶硅层相接触，所述第二源极以及所述第二漏极分别通过所述第二过孔与所述第二离子掺杂多晶硅层相接触。

根据本发明一优选实施例，所述层间绝缘层、所述栅极绝缘层以及所述缓冲层上分别形成位于所述第一底栅极上方并暴露出部分所述第一底栅极的第三过孔以及位于所述光遮挡层上方并暴露出部分所述光遮挡层的第四过孔，所述第一源极经由所述第三过孔与所述第一底栅极相接触，所述第二源极经由所述第四过孔与所述光遮挡层相接触。

根据本发明一优选实施例，所述栅极绝缘层以及所述层间绝缘层的材料为氮化硅、二氧化硅或二者的组合；所述第一底栅极、所述光遮挡层、所述第一源极、所述第一漏极、第一顶栅极、第二顶栅极、所述第二源极以及所述第二漏极的材料为钼、铝、铜中的一种或多种的堆栈组合。

本发明还提供一种OLED显示面板的制备方法，所述方法包括：

S10，提供一玻璃基板，在所述玻璃基板上沉积底栅金属层，通过一道光罩制程对所述底栅金属层进行图案化处理，形成间隔设置的第一底栅极以及光遮挡层，之后在所述第一底栅极、所述光遮挡层以及所述玻璃基板上沉积缓冲层；