[发明专利]紫外LED器件及其制备方法

摘要

本申请提供了一种紫外LED器件及其制备方法，通过在原始衬底上制备形成多层半导体层、P型金属层以及金属阻挡层，进而通过金属连接层与键合衬底键合连接。在制备过程中，键合衬底可以作为后续制作流程的支撑结构，方便进行原始衬底的去除，使制造流程中器件出现裂片和蜷曲的概率大大降低，能够得到完整、平整的器件。在将键合衬底去除后，可以得到厚度较薄的紫外LED器件，如此厚度较薄的器件具有更大的出光角度、更高的出光效率以及更高的发光光强。同时，键合衬底可以回收再利用，提升物料利用率，降低生产成本。

主权项

1.一种紫外LED器件的制备方法，其特征在于，包括：提供原始衬底；基于所述原始衬底依次制作U型半导体层、N型氮化物半导体层、多量子阱层以及P型氮化物半导体层；在所述P型氮化物半导体层背离所述多量子阱层一侧制作P型金属层，所述P型金属层与所述P型氮化物半导体层形成欧姆接触，所述P型金属层形成反射镜层；基于所述P型金属层制作金属阻挡层将所述P型金属层的表面和侧面覆盖；基于所述金属阻挡层制作金属连接层；基于所述金属连接层键合连接键合衬底；去除所述原始衬底；基于所述U型半导体层制作形成暴露所述N型氮化物半导体层的凹槽；在所述凹槽中制作与所述N型氮化物半导体层连接的N型电极；对所述U型半导体层的表面进行粗化，并去除所述键合衬底。