[发明专利]紫外LED器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201910326727.1 | 申请日： | 2019-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN110047977B | 公开（公告）日： | 2020-05-22 |
| 发明（设计）人： | 曾昭烩;刘晓燕;李祈昕;陈志涛;曾巧玉;左秉鑫;李叶林 | 申请（专利权）人： | 广东省半导体产业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/22;H01L33/38 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 杨奇松 |
| 地址： | 510000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 紫外 led 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种紫外LED器件的制备方法，其特征在于，包括：
提供原始衬底；
基于所述原始衬底依次制作U型半导体层、N型氮化物半导体层、多量子阱层以及P型氮化物半导体层；
在所述P型氮化物半导体层背离所述多量子阱层一侧制作P型金属层，所述P型金属层与所述P型氮化物半导体层形成欧姆接触，所述P型金属层形成反射镜层；
基于所述P型金属层制作金属阻挡层将所述P型金属层的表面和侧面覆盖；
基于所述金属阻挡层制作金属连接层，其中，在制作形成所述金属阻挡层后，所述金属连接层、金属阻挡层以及P型金属层将所述P型氮化物半导体层的表面全部覆盖；
基于所述金属连接层键合连接键合衬底；
去除所述原始衬底；
基于所述U型半导体层制作形成暴露所述N型氮化物半导体层的凹槽；
在所述凹槽中制作与所述N型氮化物半导体层连接的N型电极；
对所述U型半导体层的表面进行粗化，并去除所述键合衬底。
2.根据权利要求1所述的紫外LED器件的制备方法，其特征在于，基于所述U型半导体层制作形成暴露所述N型氮化物半导体层的凹槽的步骤包括：
刻蚀去除所述U型半导体层的一部分，暴露所述N型氮化物半导体层的表面，形成贯穿所述U型半导体层的凹槽，使得所述N型电极与所述N型氮化物半导体层的表面接触。
3.根据权利要求1或2所述的紫外LED器件的制备方法，其特征在于，所述凹槽的深度等于所述U型半导体层的厚度。
4.根据权利要求1所述的紫外LED器件的制备方法，其特征在于，基于所述U型半导体层制作形成暴露所述N型氮化物半导体层的凹槽的步骤包括：
刻蚀去除所述U型半导体层的一部分，暴露所述N型氮化物半导体层的表面；
对暴露所述N型氮化物半导体层的表面进行进一步刻蚀，形成贯穿所述U型半导体层并延伸至所述N型氮化物半导体层内部的凹槽，使得所述N型电极贯穿所述U型半导体层并延伸至所述N型氮化物半导体层内部与该N型氮化物半导体层接触。
5.根据权利要求1或4所述的紫外LED器件的制备方法，其特征在于，所述凹槽的深度大于所述U型半导体层的厚度，且小于所述U型半导体层和N型氮化物半导体层的厚度之和。
6.根据权利要求1所述的紫外LED器件的制备方法，其特征在于，所述凹槽位于所述N型氮化物半导体层内深度小于或等于所述N型氮化物半导体层厚度的4/5。
7.根据权利要求1所述的紫外LED器件的制备方法，其特征在于，所述P型金属层作为反射镜层时，用于将从所述量子阱发出的光反射回去。
8.根据权利要求1所述的紫外LED器件的制备方法，其特征在于，所述基于所述金属连接层键合连接键合衬底的步骤包括：
在所述金属连接层的表面和所述键合衬底的表面分别涂覆粘合剂；
在键合条件下，将所述连接层和所述键合衬底涂覆粘合剂的表面键合连接。
9.一种紫外LED器件，其特征在于，该紫外LED器件采用权利要求1至8任意一项所述的制备方法制备得到。
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