[发明专利]一种特高压VDMOS场效应管的制造方法

摘要

本发明公开了一种特高压VDMOS场效应管的制造方法，生产N型VDMOS的生产步骤如下：1、采用N‑衬底片；2、在N‑衬底片的正面上按常规制造工艺制作N型VDMOS的正面结构，包括场氧、栅氧层、多晶硅区、P‑Body、N+源极、P+接触区、层间介质以及正面金属；3、进入减薄工序，对N‑衬底片背面进行减薄，将N‑衬底片减薄到所需厚度；4、在N‑衬底片背面注入N型杂质，提高N‑衬底片背面的杂质浓度，在N‑衬底片表面形成薄的N+层；5、进入背面金属化工序，在N+层背面淀积金属，形成VDMOS的漏极。其采用N+衬底片并在衬底片上直接制造器件的正面结构，通过背面减薄和背面注入来形成VDMOS的漏极，省掉了外延生长，避免过厚外延生长所带来外延缺陷的增加而导致VDMOS产品的可靠性降低。

主权项

1.一种特高压VDMOS场效应管的制造方法，其特征在于，若生产N型VDMOS，则生产步骤如下：1、采用N‑衬底片，并在N‑衬底片的正面和背面进行氧化；2、在N‑衬底片的正面上按常规制造工艺制作N型VDMOS的正面结构，所述N型VDMOS的正面结构包括场氧、栅氧层、多晶硅区、P‑Body、N+源极、P+接触区、层间介质以及正面金属；3、进入减薄工序，对N‑衬底片背面进行减薄，将N‑衬底片减薄到所需厚度；4、在N‑衬底片背面注入N型杂质，提高N‑衬底片背面的杂质浓度，在N‑衬底片表面形成薄的N+层；5、进入背面金属化工序，在N+层背面淀积金属，形成VDMOS的漏极；若生产P型VDMOS，则生产步骤如下：1、采用P‑衬底片，并在P‑衬底片的正面和背面进行氧化；2、在P‑衬底片的正面上按常规制造工艺制作制作P型VDMOS的正面结构，所述P型VDMOS的正面结构包括场氧、栅氧层、多晶硅区、N‑Body、P+源极、N+接触区、层间介质以及正面金属；3、进入减薄工序，对P‑衬底片背面进行减薄，将P‑衬底片减薄到所需厚度；4、在P‑衬底片背面注入P型杂质，提高P‑衬底片背面的杂质浓度，在P‑衬底片表面形成薄的P+层；5、进入背面金属化工序，在P+层背面淀积金属，形成VDMOS的漏极。