[发明专利]一种特高压VDMOS场效应管的制造方法

权利要求书

1.一种特高压VDMOS场效应管的制造方法，其特征在于，

若生产N型VDMOS，则生产步骤如下：1、采用N-衬底片，并在N-衬底片的正面和背面进行氧化；2、在N-衬底片的正面上按常规制造工艺制作N型VDMOS的正面结构，所述N型VDMOS的正面结构包括场氧、栅氧层、多晶硅区、P-Body、N+源极、P+接触区、层间介质以及正面金属；3、进入减薄工序，对N-衬底片背面进行减薄，将N-衬底片减薄到所需厚度；4、在N-衬底片背面注入N型杂质，提高N-衬底片背面的杂质浓度，在N-衬底片表面形成薄的N+层；5、进入背面金属化工序，在N+层背面淀积金属，形成VDMOS的漏极；

若生产P型VDMOS，则生产步骤如下：1、采用P-衬底片，并在P-衬底片的正面和背面进行氧化；2、在P-衬底片的正面上按常规制造工艺制作制作P型VDMOS的正面结构，所述P型VDMOS的正面结构包括场氧、栅氧层、多晶硅区、N-Body、P+源极、N+接触区、层间介质以及正面金属；3、进入减薄工序，对P-衬底片背面进行减薄，将P-衬底片减薄到所需厚度；4、在P-衬底片背面注入P型杂质，提高P-衬底片背面的杂质浓度，在P-衬底片表面形成薄的P+层；5、进入背面金属化工序，在P+层背面淀积金属，形成VDMOS的漏极。

2.根据权利要求1所述的特高压VDMOS场效应管的制造方法，其特征在于，所述N型杂质为磷或砷。

3.根据权利要求1所述的特高压VDMOS场效应管的制造方法，其特征在于，所述P型杂质为硼。

4.根据权利要求1所述的特高压VDMOS场效应管的制造方法，其特征在于，按常规制造工艺制作N型VDMOS的正面结构，具体过程如下：在N-衬底片的正面上进行场氧化，形成场氧；光刻有源区，腐蚀有源区；生长栅氧层；多晶硅淀积，多晶硅掺杂，多晶硅光刻，多晶硅刻蚀，形成多晶硅区；P-Body注入，P-Body推进，形成P-Body；N+光刻，N+注入，形成N+源极；P+注入，形成P+接触区；BPSG淀积，BPSG回流，形成层间介质；接触孔光刻，接触孔腐蚀，P+注入，以进一步改善P+接触区和正面金属的接触；金属淀积，金属光刻，金属刻蚀，形成正面金属。

5.根据权利要求1所述的特高压VDMOS场效应管的制造方法，其特征在于，按常规制造工艺制作制作P型VDMOS的正面结构，具体过程如下：在P-衬底片的正面上进行场氧化，形成场氧；光刻有源区，腐蚀有源区；生长栅氧层；多晶硅淀积，多晶硅掺杂，多晶硅光刻，多晶硅刻蚀，形成多晶硅区；N-Body注入，N-Body推进，形成N-Body；P+光刻，P+注入，形成P+源极；N+注入，形成N+接触区；BPSG淀积，BPSG回流，形成层间介质；接触孔光刻，接触孔腐蚀，N+注入，以进一步改善N+接触区和正面金属的接触；金属淀积，金属光刻，金属刻蚀，形成正面金属。