[发明专利]磁随机存取存储器及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201910323992.4 申请日: 2019-04-22
公开(公告)号: CN111833930B 公开(公告)日: 2022-07-08
发明(设计)人: 黄嘉晔;俞文杰;刘强 申请(专利权)人: 上海新微技术研发中心有限公司
主分类号: G11C11/02 分类号: G11C11/02;H01L43/12
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 史治法
地址: 201800 上海市嘉定区*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种磁随机存取存储器及其制备方法,包括:磁隧道结结构;字线,与磁隧道结结构的顶部相连接;读取位线,与磁隧道结结构的底部相接触;写入位线,位于读取位线一侧;U型变磁体连接结构,包括底边部、侧壁部及延伸部;底边部位于读取位线的下方,一端与写入位线相连接,另一端沿第一方向横跨读取位线;侧壁部分别位于磁隧道结结构相对的两侧,位于磁隧道结结构远离延伸部一侧的侧壁部的顶部与字线相连接,侧壁部的底部与底边部相连接;延伸部的一端与侧壁部相连接,另一端自侧壁部沿第一方向向远离位于磁隧道结结构的方向延伸。本发明的磁随机存取存储器降低了磁隧道结结构翻转所需的电流,进而降低了所需的写入电流及写入功耗。
搜索关键词: 随机存取存储器 及其 制备 方法
【主权项】:
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