[发明专利]磁随机存取存储器及其制备方法

权利要求书

1.一种磁随机存取存储器，其特征在于，包括：

磁隧道结结构；

字线，与所述磁隧道结结构的顶部相连接，且沿第一方向延伸，所述第一方向与所述磁隧道结结构的高度方向相垂直；

读取位线，与所述磁隧道结结构的底部相接触，且沿第二方向延伸，所述第二方向与所述磁隧道结结构的高度方向及所述第一方向均相垂直；

写入位线，位于所述读取位线一侧，与所述读取位线具有间距；所述写入位线沿所述第二方向延伸；

U型变磁体连接结构，包括底边部、侧壁部及延伸部；所述底边部位于所述读取位线的下方，所述底边部的一端与所述写入位线相连接，另一端沿所述第一方向横跨所述读取位线；所述侧壁部分别位于所述磁隧道结结构相对的两侧，位于所述磁隧道结结构远离所述延伸部一侧的所述侧壁部的顶部与所述字线相连接，所述侧壁部的底部与所述底边部相连接；所述延伸部的一端与所述侧壁部的顶部相连接，另一端自所述侧壁部沿所述第一方向向远离位于所述磁隧道结结构的方向延伸；所述延伸部的上表面与所述字线的下表面之间具有间距，所述延伸部增强临近所述磁隧道结结构的翻转磁场。

2.根据权利要求1所述的磁随机存取存储器，其特征在于：

所述磁隧道结结构的数量为多个，多个所述磁隧道结结构沿所述第一方向及所述第二方向呈多行多列间隔排布；

所述字线的数量为多个，各所述字线分别将各行沿所述第一方向间隔排布的所述磁隧道结结构依次串接；

所述读取位线的数量为多个，各所述读取位线将各列沿所述第二方向间隔排布的所述磁隧道结结构依次串接；

所述U型变磁体连接结构的数量为多个，各所述U型变磁体连接结构与各所述磁隧道结结构一一对应设置；各所述U型变磁体连接结构的所述侧壁部位于所述磁隧道结结构沿所述第一方向相对的两侧；

所述写入位线的数量为多个，多个所述写入位线与多个所述读取位线沿所述第一方向依次交替间隔排布，且各所述写入位线分别位于各列沿所述第二方向间隔排布的所述磁隧道结结构的同一侧。

3.根据权利要求2所述的磁随机存取存储器，其特征在于，所述磁随机存取存储器还包括绝缘保护层，所述绝缘保护层填充于相邻所述字线之间、相邻所述U型变磁体连接结构之间、相邻所述磁隧道结结构之间、所述读取位线与所述写入位线之间及所述底边部与所述读取位线之间。

4.根据权利要求1所述的磁随机存取存储器，其特征在于，所述底边部与所述读取位线的底部具有间距。

5.根据权利要求4所述的磁随机存取存储器，其特征在于：所述磁随机存取存储器还包括绝缘介质层，所述绝缘介质层至少位于所述底边部与所述读取位线之间。

6.根据权利要求1所述的磁随机存取存储器，其特征在于：所述侧壁部与所述磁隧道结结构的侧壁相接触。

7.根据权利要求1所述的磁随机存取存储器，其特征在于：所述磁隧道结结构包括：

钉扎铁磁层；

反铁磁层，位于所述钉扎铁磁层的表面；

自由铁磁层，位于所述钉扎铁磁层远离所述反铁磁层的一侧；

绝缘隧道势垒层，位于所述钉扎铁磁层与所述自由铁磁层之间。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的磁随机存取存储器，其特征在于：所述延伸部包括：

横向延伸部，一端与所述侧壁部的顶部相连接，另一端沿所述第一方向向远离所述磁隧道结结构的方向延伸；

纵向延伸部，一端与所述横向延伸部远离所述侧壁部的一端相连接， 另一端自所述横向延伸部向下延伸。