[发明专利]一种低损伤AlGaN/GaNHEMT栅槽刻蚀方法有效
| 申请号： | 201910323485.0 | 申请日： | 2019-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN110047748B | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 陈雷雷;闫大为;赵琳娜;顾晓峰 | 申请（专利权）人： | 江南大学 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/67;H01L21/28;H01L21/335;H01L29/423 |
| 代理公司： | 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司 23211 | 代理人： | 林娟 |
| 地址： | 214000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种低损伤AlGaNGaNHEMT栅槽刻蚀方法，属于半导体制造技术领域。所述方法刻蚀过程中控制等离子体中离子运动方向与衬底方向水平，且控制等离子体浓度在10 |
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| 搜索关键词： | 一种 损伤 algan ganhemt 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
1.一种低损伤AlGaN/GaNHEMT栅槽刻蚀方法，其特征在于，所述方法包括：步骤11，在AlGaN/GaN HEMT外延结构上形成刻蚀阻挡层；步骤12，对所述刻蚀阻挡层进行图形化，露出预设为栅槽部分的外延结构表面；步骤13，将所述露出预设为栅槽部分的外延结构表面置于等离子体腔室内，在低压环境下通入刻蚀气体，调节气压为3‑8Pa，打开电感天线射频电源激发电容耦合的等离子体，等离子体中离子运动方向与衬底方向水平，对所述露出预设为栅槽部分的外延结构表面进行逐原子层刻蚀，形成深度可控的栅槽结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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