[发明专利]一种适用于常规CMOS工艺的过温保护结构有效
| 申请号： | 201910320045.X | 申请日： | 2019-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN109980599B | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 贺凌炜;高国平;王栋;徐睿 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
| 主分类号： | H02H5/04 | 分类号： | H02H5/04 |
| 代理公司： | 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340 | 代理人： | 杨立秋 |
| 地址： | 214000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种适用于常规CMOS工艺的过温保护结构，属于集成电路技术领域。所述适用于常规CMOS工艺的过温保护结构通过常规CMOS工艺中普通的PMOS管和NMOS管以及寄生PNP管构成，可集成于电路内部，从而输出控制信号控制电路的工作状态。本发明使用PMOS管和NMOS管以及寄生PNP管产生正温系数的电压；使用寄生PNP管得到负温系数电压，将正温系数电压和负温系数电压比较得到控制信号。当电路持续工作导致温度超过指定温度时，过温保护结构将电路关闭，等到温度降低后才打开。本发明结构简单，易于推广，可以有效支持基于常规CMOS工艺的电路的过温保护功能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 适用于 常规 cmos 工艺 保护 结构 | ||
【主权项】：
1.一种适用于常规CMOS工艺的过温保护结构，其特征在于，包括：PTAT电流源，用于产生PTAT电流；第一电流镜，将所述PTAT电流加载于电阻R1，形成线网NET1电压并连接至比较器的正端；第二电流镜，将所述PTAT电流加载于PNP管Q2，形成线网NET2电压并连接至所述比较器的负端；反相器，其输入端接所述比较器的输出端，输出端连接线网OUT。
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