[发明专利]一种适用于常规CMOS工艺的过温保护结构

权利要求书

1.一种适用于常规CMOS工艺的过温保护结构，其特征在于，包括：

PTAT电流源，用于产生PTAT电流；

第一电流镜，将所述PTAT电流加载于电阻R1，形成线网NET1电压并连接至比较器的正端；

第二电流镜，将所述PTAT电流加载于PNP管Q2，形成线网NET2电压并连接至所述比较器的负端；

反相器，其输入端接所述比较器的输出端，输出端连接线网OUT；

所述适用于常规CMOS工艺的过温保护结构包括PMOS管P0～P5、NMOS管N0～N1、PNP管Q0～Q2和电阻R0～R1；其中，

所述PMOS管P0～P4的源端和衬底均接电源VDD；所述PMOS管P0～P4的栅端连接PMOS管P0的漏端和NMOS管N0的漏端；PMOS管P1的漏端连接NMOS管N0的栅端以及NMOS管N1的栅端和漏端；PMOS管P2、P5的漏端、电阻R1的第一端和比较器的正端连接线网NET1电压；PMOS管P3的漏端、PNP管Q2的发射极和比较器的负端连接线网NET2电压；PMOS管P4的漏端连接PMOS管P5的源端；PMOS管P5的栅端和反相器的输出连接线网OUT；NMOS管N0的源端连接PNP管Q0的发射极；NMOS管N1的源端连接电阻R0的第一端；电阻R0的第二端连接PNP管Q1的发射极；NMOS管N0、N1的衬底端、PNP管Q0～Q2的基极和集电极、电阻R1的第二端均接GND。

2.如权利要求1所述的适用于常规CMOS工艺的过温保护结构，其特征在于，所述PMOS管P5的衬底接电源VDD，栅极接线网OUT。